یکی از راهکارهای غلبه بر محدودیتهای فیزیکی کوچکسازی ترانزیستورها، ایجاد یک معماری کاملاً جدید و سهبعدی برای آنهاست. در این روش به جای آرایش ترانزیستورهای سیلیکونی به صورت مسطح روی یک صفحه، این ترانزیستورها ۹۰ درجه چرخیده و به صورت ستونهای کوچک عمود بر سطح قرار میگیرند.
![](https://news.nano.ir/wp-content/uploads/2010/5/4aff080c770c4e999020967d62424e9b.jpg)
تولید ترانزیستورهای جدید با نانوسیمهای سیلیکونی
امروزه هزاران ترانزیستور سیلیکونی مسئول انتقال اطلاعات روی یک میکروتراشه هستند. محققان موسسه ماکس پلانک در Halle نانوسیمهای سیلیکونی تکبلوری تولید میکنند که |
|
دکتر رینهارد کوگلر و دکتر ژین ئو از FZD میگویند: «ابتدا نانوسیمهایی به قطر ۱۰۰
|