پژوهشگران دانشگاه تگزاس موفق به ارائهی روش جدیدی برای کشت سلولی شدند که در آن با افزودن نانوذرات مغناطیسی به سلول و کنترل آنها بهوسیلهی میدان مغناطیسی توانستهاند سلولها را در محیطی سهبعدی رشد دهند.
کشت سلولها در محیط سهبعدی به کمک نانوذرات مغناطیسی
پژوهشگران دانشگاه تگزاس موفق به ارائهی روش جدیدی برای کشت سلولی شدند که در آن با افزودن نانوذرات مغناطیسی به سلول و کنترل آنها بهوسیلهی میدان مغناطیسی توانستهاند سلولها را در محیطی سهبعدی رشد دهند.
رشد سلولها در یک محیط کنترلشده از دیرباز بهعنوان ابزاری اساسی در تولید واکسن و دیگر محصولات زیستفناوری به شمار میرفتهاست. اخیراً هم این فرایند بهعنوان ابزاری مهم در تحقیقات سلولهای بنیادی و مهندسی بافت به کار گرفته میشود. در این فرایند، سلولها بهصورت یک لایه در ظرف مخصوصی تکثیر مییابند و بهدلیل تکلایهای بودن رشد سلولها برخی از عملکردهای سلولی نظیر بیان ژن و سیگنالینگهایی که در بافتهای زنده وجود دارد، در این فرایند دیده نمیشوند.
محققان برای حل این مشکل محیط کشت را از حالت دوبعدی به سهبعدی تغییر دادند. در این کار، پژوهشگران دانشگاه تگزاس، نانوذرات مغناطیسی را درون ژلهایی دارایمواد خورندهی باکتری وارد کردند. به محض ورود این سلولها به این ژل، موارد خورنده باعث خورده شدن دیوارهی سلول و ورود نانوذرات به درون سلول میشوند. با شستن ژل، تنها سلولهای حاوی نانوذرات مغناطیسی باقی میمانند که آنها را وارد محیط کشت سلولی میکنند و فرایند تکثیر آغاز میشود. حال با اعمال یک میدان مغناطیسی میتوان سلولها را از کف ظرف به بالا آورد و در نهایت سلولها در حالت شناور در محلول تکثیر یابند.
در روشهای رایجی که در آنها از داربستهای تجزیهپذیر استفاده میشود، سرعت تکثیر بسیار کم است، همچنین محیط کشت غیر قابل تغییر است؛ اما در این روش جدید محیط کشت قابل تغییر میباشد. در واقع نیاز نداشتن به محیطی خاص و داربست برای تکثیر، یکی دیگر از مزایای این روش است.
