ابتکار جدید پژوهشگران در ترانزیستورهای آلی

پژوهشگرانی از دانشگاه پلی‌تکنیک هنگ‌کنگ در یک مطالعه جدید نشان دادند که ساندویچ کردن لایه ساده‌ای از نانوذرات نقره می‌تواند به طور قابل ملاحظه‌ای عملکرد ترانزیستورهای آلی، که به طور معمول در وسایل الکترونیکی مصرفی استفاده می‌شوند، را بهبود بخشد. انتظار می‌رود که این کشف انقلابی بتواند قیمت افزاره‌های حافظه‌ای مانند صفحات لمسی و کتاب‌های الکترونیکی را کاهش داده و عملکرد آنها را بهتر کند.

پژوهشگرانی از دانشگاه پلی‌تکنیک هنگ‌کنگ
در یک مطالعه جدید نشان دادند که ساندویچ کردن لایه ساده‌ای از نانوذرات
نقره می‌تواند به طور قابل ملاحظه‌ای عملکرد ترانزیستورهای آلی، که به طور
معمول در وسایل الکترونیکی مصرفی استفاده می‌شوند، را بهبود بخشد. انتظار
می‌رود که این کشف انقلابی بتواند قیمت افزاره‌های حافظه‌ای مانند صفحات
لمسی و کتاب‌های الکترونیکی را کاهش داده و عملکرد آنها را بهتر کند.
 
افزاره‌ی حافظه‌ای بر اساس ترانزیستور لایه نازک آلی.
 
این پژوهش خارق العاده به رهبری دکتر پدی
چان ووک- لئونگ و دکتر لئونگ چی-وا و و با همکاری دکتر سومئی وانگ بعنوان
دانشجوی فوق‌دکترا و یکی از اعضای کلیدی، انجام گردید.

ترانزیستورهای آلی شامل استفاده از ترکیبات نیمه‌رسانای آلی در عناصر
الکترونیکی می‌باشد. این ترانزیستورها یکی از قسمت‌های کلیدی افزاره‌های
الکترونیکی مانند صفحات لمسی می‌باشند. صفحه نمایش‌های رایانه‌ای ساخته شده
از ترانزیستورهای آلی دارای رنگ‌های واضح‌تری هستند. آنها همچنین دارای
پاسخی سریع بوده و خواندن آنها در اکثر شرایط محیطی آسان است. با استفاده
مناسب از فناوری‌نانو، عملکرد ترانزیستورهای آلی را می‌توان بازهم افزایش
داده و اندازه آنها را ریزتر کرد. روش بدیعی که توسط پژوهشگران دانشگاه پلی‌تکنیک
توسعه یافته است، سازگاری زیادی با تکنیک‌های ساخت غلتک- به-غلتک پیوسته و
ارزان قیمت دارد که برای ساخت الکترونیک آلی استفاده می‌شوند.

مهمتر آنکه، دکتر چان و همکارانش نشان داده‌اند که ضخامت لایه نانوذره‌ای
به صورت قابل پیش‌بینی می‌تواند عملکرد این افزاره حافظه‌ای را تغییر دهد و
با اینکار در بهینه‌سازی عملکرد آن در جهت رسیدن به کاربردهای مشخص مفید
باشد. ترانزیستورهای آلی ساخته شده از یک لایه نانوذره‌ای به ضخامت یک
نانومتر دارای یک حافظه پایدار هستند که تا سه ساعت دوام دارد و می‌تواند
برای حافظه‌های میانجی (buffer) مناسب باشد. ترانزیستورهایی با لایه‌های
پنج نانومتری می‌توانند برای زمان‌های بسیار طولانی‌تری بار خود را نگه‌دارند.

این پژوهشگران به خاطر انعطاف‌پذیری و ارزانی قیمت حافظه‌های آلی، پتانسیل
بسیار بالایی برای استفاده از آنها در افزاره‌های حافظه‌ای نسل جدید پیش‌بینی
می‌کنند.

نتایج این محققان در آخرین شماره مجله‌ی معتبر Applied Physics Letters که
توسط انتشارات انجمن فیزیک آمریکا منتشر می‌شود به چاپ رسیده است. این کار
همچنین در شماره سپتامبر مجله‌ی معتبر Chemical Engineering Progress که
توسط انجمن مهندسی شیمی آمریکا منتشر می‌شود، ارائه گردیده است.