ترانزیستوری با سرعت ۱۰۰ برابر ترانزیستور‌های معمولی شبیه‌سازی شد

متخصصان نانوالکترونیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، به کمک روش‌های شبیه‌سازی،
موفق به ارایه‌ی نانوترانزیستور جدیدی شدند که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستورهای
ماسفت دارد.

دکتر فرشید رئیسی، دکتر حسین شمسی و مهندس مینا امیرمزلقانی به‌ این موفقیت دست
پیدا کرده‌اند و بخشی از نتایج کارشان را
در مجله‌ی IEICE Electronics Express (جلد
۶، صفحات ۱۵۸۶- ۱۵۸۲، سال ۲۰۰۹) منتشر نموده‌اند.

مهندس مینا امیرمزلقانی، دانشجوی دکتری الکترونیک، در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد
ویژه‌ی توسعه‌ی فناوری نانو گفت: «از آنجایی که در زمینه‌ی ترانزیستورهای نانومتری،
دانش سایر کشورها به حد مطلوبی ‌نرسیده‌است و بنیان علمی‌در این زمینه در کشور ما و
سایر کشورها یکسان است، بنابراین فرصت بسیار مناسبی‌ برای رقابت و پیشرفت در این
زمینه وجود دارد و این انگیزه‌ی اصلی بنده برای انجام این پژوهش بوده‌است».

وی در ادامه افزود: «در این کار پژوهشی، ترانزیستوری جدیدی در ابعاد نانومتر (طول
کانال ۷۵ نانومتر) ارایه گردیده که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستور
ماسفت(ترانزیستور اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه‌هادی، MOSFET) دارد».

مهندس امیرمزلقانی خاطر نشان کرد: «از این نانوترانزیستور، می‌توان در ساخت قطعات
دیجیتالی بهره گرفت».

وی برای انجام این کار، ابتدا ترانزیستور FED را به کمک نرم‌افزار PISCES2B شبیه‌سازی
کرده و سپس در نرم‌افزار SPICE مدل‌سازی نموده‌است. در ادامه نیز مراحل مشابهی را
برای یک ترانزیستور ماسفت در همان ابعاد انجام و نتایج را با یکدیگر مقایسه کرده‌است.

مهندس امیرمزلقانی در پایان گفت: «این کار در ایران در حد یک پروژه‌ی تحقیقاتی بوده
ولی از جانب شرکت‌های خارجی مورد استقبال قرار گرفته‌است، از جمله، یک شرکت آلمانی
برای استفاده از این ترانزیستور در الکترونیک صنعتی، اعلام آمادگی نموده‌است».

گفتنی است که ‌این پژوهش در قالب پایان‌نامه‌ی کارشناسی ارشد خانم مهندس
امیرمزلقانی انجام شده‌است.