متخصصان نانوالکترونیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، به کمک روشهای شبیهسازی، موفق به ارایهی نانوترانزیستور جدیدی شدند که سرعتی بیش از صد برابر ترانزیستورهای ماسفت دارد.
![](https://news.nano.ir/wp-content/uploads/2010/10/b675b89934894a699f573328378fb9cf.jpg)
ترانزیستوری با سرعت ۱۰۰ برابر ترانزیستورهای معمولی شبیهسازی شد
متخصصان نانوالکترونیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، به کمک روشهای شبیهسازی، دکتر فرشید رئیسی، دکتر حسین شمسی و مهندس مینا امیرمزلقانی به این موفقیت دست مهندس مینا امیرمزلقانی، دانشجوی دکتری الکترونیک، در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد وی در ادامه افزود: «در این کار پژوهشی، ترانزیستوری جدیدی در ابعاد نانومتر (طول مهندس امیرمزلقانی خاطر نشان کرد: «از این نانوترانزیستور، میتوان در ساخت قطعات وی برای انجام این کار، ابتدا ترانزیستور FED را به کمک نرمافزار PISCES2B شبیهسازی مهندس امیرمزلقانی در پایان گفت: «این کار در ایران در حد یک پروژهی تحقیقاتی بوده گفتنی است که این پژوهش در قالب پایاننامهی کارشناسی ارشد خانم مهندس
|