گروهی از محققان آمریکایی با ساخت مدلی رایانهای موفق به شبیهسازی وضعیت اتمهای گرافن در دوحالت تک لایهای و دو لایهای شدند. آنها امیدوارند این کار در آینده بتوانند بهشناسایی موانع کاربرد گرافن در مدارهای الکتریکی و رفع آن بیانجامد.
![](https://news.nano.ir/wp-content/uploads/2011/6/fcc57dcc659d4485bdaa67a00b840c13.jpg)
افزایش رسانایی الکتریکی در گرافنهای دو لایهای
گرافن بهدلیل آرایش اتمی خاص اتمهای کربن مادهای با رسانش بالا است و برای اخیران محققانی از دانشگاه ایالت کارولینای شمالی آمریکا با استفاده از رایانههای بهنظر آنها اگر بتوان گرافن را روی مادهای قرار داد که بخشی از گرمای تولید شده
|