لایه‌های نیم رسانای جدید، امیدی تازه در بهره‌گیری از انرژی خورشیدی

گروهی از محققان آمریکایی با ساخت با استفاده از لیگاندهای معدنی و نقاط کوانتومی و
ساخت نوعی جوهر، به فناوری چاپ لوله‌ای لایه‌های نیم رسانای پیل‌های خورشیدی دست
یافتند که بسیار مقرون به‌صرفه بوده و امکان استفاده از پیل‌های خورشیدی در سطحی
وسیع را فراهم می‌کند.

در حال حاضر استفاده از انرژی خورشیدی برای تولید مقادیر زیاد الکترییسیته، مستلزم
نصب تجهیزات عظیم در مساحت زیاد است. اما با توجه به آنکه در فناوری کنونی تولید
این پیل‌ها از روش‌های سیلیکونی استفاده می‌شود، نصب چنین تجهیزاتی مقرون به‌صرفه
نبوده و برای محیط زیست مضر است.

اخیرا گروهی از محققان دانشگاه شیکاگو با همراهی دانشمندانی از آزمایشگاه ملی آرگون
وزارت انرژی آمریکا به روشی تازه دست یافتند که به کمک آن می توان لایه های نیم
رسانای ارزان‌تری را جهت کاربرد در پیل‌های خورشیدی تولید کرد.

این محققان با استفاده از نقاط کوانتومی و چسباندن آنها توسط کمپلکس‌های فلزی
چالکوژنید، پیش‌ساز قابل انحلالی را برای تولید لایه‌های نیم رسانای پیل‌های
خورشیدی در محلول ساختند. وجود این لیگاندهای سطحی معدنی موجب انتقال آسان الکترون
بین نقاط کوانتومی شده و به این ترتیب نوع جدیدی از جوهر کلوئیدی با تحرک پذیری
الکترونی بسیار عالی برای چاپ لوله ای لایه های نیم رسانا بدست می‌آید.

به گفته دیمیتری تالاپین، این روش علاوه بر آنکه در دمای بسیار کمتری نسبت به روش‌های
سیلیکونی انجام می‌شود بسیار مقرون به‌صرفه نیز هست و می‌تواند گامی اساسی برای حل
چالش‌های موجود و ساخت پیل‌های خورشیدی قابل رقابت باشد. گفتنی است گزارش این تحقیق
در نشریه

Nature Nanotechnology منتشر شده است.