یکی از مشکلات در استفاده از گرافن، نقص‌های ساختاری آن است. اخیر محققان با استفاده از STM موفق به بررسی این نقص‌ها شده‌اند. نتایج حاصل از این مطالعه می‌تواند محققان را در مسیر تولید گرافن بدون نقص یاری کند.
بررسی گرافن با استفاده از STM
یکی از مشکلات در استفاده از گرافن، نقص‌های ساختاری آن است. اخیر محققان با استفاده از STM موفق به بررسی این نقص‌ها شده‌اند. نتایج حاصل از این مطالعه می‌تواند محققان را در مسیر تولید گرافن بدون نقص یاری کند.
یک گروه تحقیقاتی از دانشگاه پوردو با همکاری همتایان خود در گروه مواد مغناطیسی و الکترونیکی به بررسی رشد گرافن روی فویل مسی چند بلوری پرداختند. این گروه تحقیقاتی برای اولین این کار را در مقیاس اتمی انجام دادند. آنها از میکروسکوپ تونل زنی روبشی (UHV-STM) در مرکز مواد نانومقیاس (CNM) برای این کار استفاده کردند. نتایج کار این گروه تحقیقاتی می‌تواند مسیر تولید گرافن عاری از نقص را هموار کند.
تمرکز اصلی در این پروژه آن است که کیفیت فیلم‌های تولید شده و جهت‌گیری دامنه‌های گرافنی مختلف با استفاده از UHV-STM در مرکز CNM مورد بررسی قرار گیرد. نتایج کار آنها در مقاله‌ای به چاپ رسیده است که در آن اثرات مرز دامنه‌ها روی خواص انتقال در گرافن بررسی شده است. این کار پیرو کار قبلی انجام شده در مرکز CNM که در آن گرافن روی تک بلور مس (۱۱۱) قرار گرفته بود، انجام شده است. همانند نتایج بدست آمده در گرافن روی مس تک بلوری، در این پروژه نیز مرزهای دامنه تاثیر شگرفی روی حرکت ناقلین بار در گرافن دارد.
تولید انبوه گرافن با کیفیت بالا یکی از چالش‌های اصلی در مسیر استفاده از این ماده است. مطالعات بنیادی با STM در مقیاس اتمی دانشمندان را قادر می سازد تا آسیب‌ها را روی فیلم‌های رشد یافته مشاهده کنند.
پژوهشگرانی از دانشگاه ایالتی تگزاس، شرکت کارل زایس و مرکز نانومواد عاملی نیز در این پروژه مشارکت داشتند.
نتایج این تحقیق درنشریه Nature Materials به چاپ رسیده است.
