پژوهشگرانی از نوکیا و دانشگاه کمبریج انگلستان یک مدار تریستور-گونه درست کرده‌اند که شامل یک ترانزیستور نانوسیمی جفت‌شده (CNWT)، می‌باشد که از دو ترانزیستور اثر میدانی با برهم‌کنش متقابل ساخته شده است. این CNWT با ردیف کردن دو نانوسیم در طول درازای کامل‌شان از طریق یک فرآیند خود- هم‌راستاکننده ساخته می‌شود. این روش جدید در عین حال یک مدار جریان کار کاملا تابعی تولید می‌کند که ممکن است در پردازش سیگنال برای کاربردهای محاسبات آنالوگ مفید باشد.
ترانزیستورهای نانوسیمی برای محاسبات آنالوگ
پژوهشگرانی از نوکیا و دانشگاه کمبریج انگلستان یک مدار تریستور-گونه درست کرده‌اند
که شامل یک ترانزیستور نانوسیمی جفت‌شده (CNWT)، می‌باشد که از دو ترانزیستور اثر
میدانی با برهم‌کنش متقابل ساخته شده است. این CNWT با ردیف کردن دو نانوسیم در طول
درازای کامل‌شان از طریق یک فرآیند خود- هم‌راستاکننده ساخته می‌شود. این روش جدید
در عین حال یک مدار جریان کار کاملا تابعی تولید می‌کند که ممکن است در پردازش
سیگنال برای کاربردهای محاسبات آنالوگ مفید باشد.
روش لیتوگرافی نانوسیمی (NWL) ترکیبی از تکنیک‌های پایین- بالا و بالا- پایین
است. در NWL از نانوسیم‌های رشدیافته شیمیایی بعنوان ماسک‌هایی استفاده می‌شود و
این روش قبلا برای ساخت افزاره‌های الکترونیکی ساده از فلزات و حتی گرافن استفاده
شده است.
اکنون، آندرآ فراری از دانشگاه کمبریج و همکارانش از NWL برای ساخت مدار یک
تریستور-گونه استفاده کرده‌اند. تریستورها افزاره‌های الکترونیکی هستند که عموما
دارای پشته‌ای از سه اتصال‌های n-p می‌باشند. CNWT که این مدار را می‌سازد یک
تریستور نیمه‌رسانای اکسید فلزی (CMOS) است که یک عنصر مداری مهم در عناصر تأخیری
کم‌توان می‌باشد.
فراری توضیح داد: “ما بگونه‌ای پیش رفتیم که توابع الکتریکی را گسترده‌تر از مورد
سویچ‌های ساده، در این آجربنای نانومقیاس منفرد تعبیه کنیم. این آجربنا از طریق یک
فرآیند خود- هم‌رستاکننده به طور طبیعی شکل می‌گیرد نه اینکه از طریق روش‌های بالا-
پایین آرایش می‌یابد.” خود CNWT از دو نانوسیم ساخته می‌شود، یکی رشد یافته، و
دیگری قلم‌زنی شده بر روی ویفر سیلکون- روی- عایق با استفاده از اولین نانوسیم
بعنوان یک ماسک.
فراری افزود: “فرآیند ساخت ما همچنین با فرآیند متداول بالا- پایین سازگار است ولی
فقط نیاز به یک مرحله لیتوگرافی منفرد برای تعریف تمام الکترودها دارد. مزیت رهیافت
ما این است که به ما اجازه ساخت مدار کاری و نه فقط یک مولفه معمولی (مانند
ترانزیستور یا دیود ساده) با پشته‌سازی عمودی نانوسیم‌ها را می‌دهد.”
این پژوهشگران جزئیات نتایج کار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی ACS Nano منتشر کرده‌اند.
