دانشمندان با استفاده از الگوسازی نانویی، آرایه‌های منظمی از بیت‌های مغناطیسی ساخته‌اند که ظرفیت ذخیره‌سازی درایو دیسک سخت را از ۱ ترابایت به ۶ ترابایت افزایش می‌دهد بدون اینکه ابعاد آن افزایش یابد.
افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی اطلاعات با استفاده از سدیم کلرید
دکتر ژویل یانگ، از موسسه‌ی تحقیقاتی مواد و مهندسی، با همکاری دانشگاه ملی سنگاپور موفق به افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی اطلاعات دیسک‌های سخت به‌میزان ۳/۳ ترابیت بر اینچ مربع شده‌اند. این مقدار معادل ۶ برابر ظرفیت ذخیره‌سازی اطلاعات دیسک‌های سخت متداول است. استفاده ار ترکیب شیمیایی سدیم کلرید از نکات کلیدی و مهم در این روش است.
گروه تحقیقاتی به سرپرستی دکتر یانگ از الگوسازی نانویی برای ساخت آرایه‌های منظمی از بیت‌های مغناطیسی استفاده کرده‌اند. با این روش ظرفیت ذخیره سازی داده‌ها تا ۳/۳ ترابیت بر اینچ مربع، که ۶ برابر ظرفیت ذخیره سازی متداول است، افزایش می‌یابد و بدین معنی است که ظرفیت ذخیره سازی درایو دیسک سخت از ۱ ترابایت به ۶ ترابایت افزایش می‌یابد بدون اینکه ابعاد آن افزایش یابد.
در فناوری جدید از دانههای بسیار ریز به ابعاد ۸-۷ نانومتر استفاده شده است که بر روی سطح سابسریت ذخیره‌سازی تعبیه می‌شود. بنابراین اطلاعات در دسته‌ای از دانههای بسیار ریز و با ساختار یکنواخت ذخیره می‌شوند در صورتی‌که در دیسک‌های سخت متداول، تعدادی از دانههای مغناطیسی نانوسکوپی به‌صورت تصادفی بر روی سابستریت ذخیره‌سازی تعبیه شده و قابلیت ذخیره‌سازی اطلاعات به‌میزان ۵/۰ ترابیت بر اینچ مربع را فراهم می‌سازند.
استفاده از فرآیند لیتوگرافی پرتوی الکترونی با قدرت تفکیک بالا از موارد محرمانه‌ی این تحقیق است. در این فرآیند ساختارهای نانویی بسیار خالص تهیه می‌شود. یانگ کشف کرد که با افزایش سدیم کلرید به محلول ظهور فرآیند لیتوگرافی، نانوساختارهایی با اندازه ۵/۴ نانومتر می‌توان ساخت بدون اینکه از تجهیزات گران‌قیمت استفاده شود. این محلول به نام محلول ظهور نمکی نیز نامیده می‌شود.
