خاموش و روشن کردن یک LED با ترانزیستور نانولوله‌ای

محققان در دانشگاه کالیفرنیا روشی برای چاپ ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله‌های کربنی و استفاده از آنها برای خاموش و روشن کردن یک دیود گسیلنده نور آلی (OLED) ارائه کرده‌اند. طبق گفته این محققان این ترانزیستورهای نانولوله کربنی چاپ شده ارزان‌تر از ترانزیستورهای سیلیکونی هستند و یک سیستم کنترلی موثر برای نمایشگرهای LED چاپ شده می‌باشند.

محققان در دانشگاه کالیفرنیا روشی برای چاپ ترانزیستورهای ساخته شده از
نانولوله‌های کربنی و استفاده از آنها برای خاموش و روشن کردن یک دیود
گسیلنده نور آلی (OLED) ارائه کرده‌اند. طبق گفته این محققان این
ترانزیستورهای نانولوله کربنی چاپ شده ارزان‌تر از ترانزیستورهای سیلیکونی
هستند و یک سیستم کنترلی موثر برای نمایشگرهای LED چاپ شده می‌باشند.

گروه‌های تحقیقاتی بسیاری در جهان، روش‌هایی برای چاپ OLEDs، ترانزیستورها
و دیگر مدارهای الکترونیکی روی زیرلایه‌های سخت و انعطاف‌پذیر ارائه کرده‌اند.
اگرچه ترانزیستورهای ساخته شده توسط کوماس گالاتسیس و همکارانش هیچ رکوردی
برای عملکرد نشکسته‌اند، اما آنها OLEDهایی را ساخته‌اند که می‌توان آنها
را بوسیله یک ترانزیستور نانولوله‌ای چاپ شده کنترل کرد.

 
این ترانزیستورهای نانولوله کربنی تک‌جداره‌ی چاپ شده ارزان‌تر از همتاهای سیلیکونی‌شان هستند.
برای ساخت این ترانزیستورها، این محققان ابتدا الکترودهای گیت، خروجی و منبع نقره‌ای
را روی سیلیکا چاپ کردند. آنها سپس یک محلول ۹۸ درصدی از نانولوله‌های تک‌جداره را
بین الکترودهای خروجی و منبع چاپ کردند.بمحض اینکه این نانولوله‌ها خشک شدند، جهت
ایجاد یک ترانزیستور گیت – پشت لایه‌ی دیگری از نقره اضافه شد.

اگر الکترود گیت به اندازه کافی مثبت باشد، میدان الکتریکی آن (منتقل شده بواسطه
سیلیکا) الکترون‌ها در نانولوله‌ها را وادار به خروج از باند هدایت می‌کند و جریانی
بین الکترودهای منبع و خروجی ایجاد نمی‌شود؛ بنابراین LEDهای متصل شده خاموش خواهند
بود. اما اگر الکترود گیت منفی باشد، میدانش الکترون‌ها را داخل باند هدایت می‌کشد،
بنابراین آزادانه حرکت می‌کنند و به LED توان داده و آن را روشن می‌کنند.

این گروه لایه‌ای از پلی‌اتیلن‌ایمین با LiClO4 به بالای نانولوله‌ها اضافه کرد و
ترانزیستور گیت – بالا ساخت. این محققان می‌گویند که چون این پلیمر وارد گوشه‌ها،
کناره‌ها و شکاف‌های نانولوله‌های چاپ شده می‌شود؛ میدان الکتریکی‌اش اثر قوی‌تر
روی نانولوله‌ها دارد که منجر به کنترل بهتر بر جریان در سرتاسر این ترانزیستور می‌شود.

اسکو کاپینن، یک محقق الکترونیک نانولوله‌ای در دانشگاه آلتو در فنلاند، اشاره می‌کند
که در این مطالعه، در ترانزیستورهای نانولوله‌ای واقعا از مزیت اصلی نانولوله‌ها –
تحرک الکترونی بالا که به آنها اجازه می‌دهد، جریان‌های بالاتر را پشتیبانی کنند –
استفاده شده است.

گالاتسیس این موضوع را تصدیق می‌کند، اما می‌گوید که تازه‌ترین تلاش‌های این گروه
تحقیقاتی با یک گیت پلیمری بهبود یافته برای ترانزیستورهای نانولوله‌ای کاملا چاپی،
بهترین نتایج را در جهان داده‌اند. جزئیات این پلیمر، بخش دیگری از دستورالعمل
محرمانه این ترانزیستورها است.

این محققان جزئیات نتایج کار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی Nano Letters منتشر
کرده‌اند.