کارکرد مدارهای مبتنی بر نانولوله کربنی در ولتاژ کم

محققان چینی و آمریکایی نشان دادند که می‌توان از مدارهای الکترونیکی مبتنی
بر نانولوله کربنی در ولتاژهای پایین استفاده کرد. کاهش ولتاژ موجب کاهش
دمای تولید شده می‌گردد. با این کار می‌توان ترانزیستورهای بیشتری را روی
یک تراشه قرار داد.

محققان دانشگاه پرکینگ در پکن چین با همکاری همتایان خود در دانشگاه دوک در
کارولینای شمالی نشان دادند که مدارهای الکترونیکی مبتنی بر نانولوله کربنی
می‌تواند در ولتاژ‌های پایین‌تر از آنچه که مدارهای سیلیکونی کار می‌کند،
فعال باشند.

مدارهایی که با ولتاژهای پایین کار می‌کنند گرمای کمتری تولید می‌کنند.
موضوع تولید گرما یک فاکتور محدود کننده در ساخت مدارها با دانسیته بالا
است. مدارهای الکترونیکی مبتنی بر نانولوله‌های کربنی به جهت سرعت بالای
خود، نظرات زیادی را به خود جلب کرده است.

تحقیقات اخیر نشان می‌دهد که مدارهای مبتنی بر نانولوله کربنی این امکان را
فراهم می‌آورند که ترانزیستورهای بیشتری را روی یک تراشه قرار داد بدون این
که گرمای زیادی تولید شود، بنابراین امکان تداوم قانون مور را فراهم
می‌کند. نتایج این تحقیق در قالب مقاله‌ای تحت عنوان Carbon nanotube based
ultra-low voltage integrated circuits: scaling down to 0.4 V در
نشریهApplied Physics Letters به چاپ رسیده است.