رشد سیلیکن روی ویفر سیلیکونی

در سال ۱۹۹۴ محققان با استفاده از تحقیقات نظری به بررسی ساختار پایدار
سیلیکن پرداختند، چیزی که تا آن زمان هیچ گونه شاهد تجربی برای وجودش یافت
نشده بود. محققان این پروژه با استفاده از STM، طیف سنجی فتوالکترون و
ادوات سینکوترون توانستند رابطه‌ای میان ساختار اپیتاکسیال سیلیکن و خواص
الکتریکی آن بیابند. با توجه این این که سیلیکن دارای باند گپ بوده و خواص
الکترونیکی آن قابل تنظیم است پیش بینی می‌شود در آینده بتواند استفاده
رقیبی برای گرافن تلقی شود.

نتایج این تحقیق در قالب مقاله‌ای تحت عنوان Experimental Evidence for
Epitaxial Silicene on Diboride Thin Films در نشریه Physical Review
Letters به چاپ رسیده است.

نتایج این پروژه نشان داد که می‌توان به‌صورت تکرارپذیر سیلیکن را روی ویفر
سیلیکونی ایجاد کرد. محققان وجود لایه اپیتاکسیالی سیلیکن را به اثبات
رساندند. آنها نشان دادند سیلیکن و دی بورید که به‌دلیل قرار گرفتن در معرض
هوا اکسید شده‌اند، اگر در دمای ۸۰۰ درجه سانتیگراد و شرایط خلاء قرار گیرد
دوباره احیاء می‌شود. محققان دریافتند که با استفاده از اپیتاکسی می‌توان
ساختار الکترونیکی را تنظیم کرد. از آنجایی که سیلیکن روی زیرلایه تشکیل
می‌شود بنابراین ساختار اتمی آن روی ساختار سیلیکن تاثیر گذاشته و در نتیجه
می‌تواند باندگپ آن را تغییر دهد. با این کار می‌توان خواص الکترونیکی
محصول به‌دست آمده را تنظیم کرد. ساختار انعطاف‌پذیر سیلیکن مزیت قابل
توجهی نسبت به گرافن سخت دارد، گرافنی که ایجاد باند گپ در آن بسیار دشوار
است.