رشد نیمه‌هادی‌ها بر پایه گرافن

محققان دانشگاه NTNU نروژ موفق به ثبت اختراعی در حوزه رشد نانوسیم‌های گالیم ارسنیک بر پایه گرافن شدند. این ماده هیبریدی دارای خواص رقابتی با سایر نیمه‌هادی‌ها بوده و قادر به ایجاد تحولی شگرف در صنعت نیمه‌هادی است.

محققان دانشگاه NTNU نروژ موفق به ثبت
اختراعی در حوزه رشد نانوسیم‌های گالیم ارسنیک بر پایه گرافن شدند. این
ماده هیبریدی دارای خواص رقابتی با سایر نیمه‌هادی‌ها بوده و قادر به ایجاد
تحولی شگرف در صنعت نیمه‌هادی است. جزئیات مربوط به روش انجام این کار در
مجله Nano Letters به چاپ رسیده است.

انتظار می‌رود که نیمه‌هادی‌های رشد داده شده بر پایه گرافن، مبنای ایجاد
انواع جدیدی از ابزارها و رشد صنعت نیمه‌هادی شوند.

 

 
نانوسیم‌های رشد داده شده بر پایه گرافن
 
به گفته پروفسور Helge Weman محقق داننشکده
الکترونیک دانشگاه NTNU، ” این ماده هیبریدی دارای خواص نوری – الکتریکی
عالی بوده همچنین قیمت مناسب، شفافیت و انعطاف پذیری از دیگر مزایای آن است”.

در این پژوهش برای رشد نانوسیم‌های نیمه‌هادی بر روی لایه نازک گرافن از
روش اپیتکسی باریکه مولکولی (MBE) استفاده شده است.

پروفسور Weman خاطر نشان می‌کند “در این پژوهش یک ماده جدید سنتز نشده است
بلکه روشی برای ساخت ابزارهای نیمه‌هادی ارائه شده است که انتظار می‌رود
پیل‌های خورشیدی و دیودهای گسیل نور با این روش ساخته شوند”.

به گفته پروفسور Weman “شرکت‌هایی مانند IBM و Samsung مایل به یافتن
جایگزینی برای سیلیکون در ابزارهای الکترونیکی مانند صفحات لمسی تلفن‌های
همراه هستند. این اختراع به خوبی با فرایند تولید این شرکت‌ها هماهنگی
داشته و بدون ایجاد محدودیت در طراحی محصولات جدید، منجر به به‌روز رسانی
محصولات آنها می‌شود بنابراین منتظر گذاشتن این شرکت‌ها برای بهره مندی از
این فناوری جایز نیست “.

این اختراع منجر به ارتقا محصولات الکترونیکی و نوری – الکترونیکی در آینده
خواهد شد. از جمله این ابزارها می‌توان به پیل‌های خورشیدی اشاره کرد که
دارای بازار وسیعی نیز هستند. پیل‌های خورشیدی ساخته شده با این روش دارای
بازدهی بالا، قیمت کم و انعطاف‌پذیری به‌طور همزمان خواهند بود. این فناوری
تولید نانوماشین‌های خود محرک، مدارهای سه بعدی بر پایه گرافن و نانوسیم‌های
نیمه‌هادی با حداقل حجم و حداکثر بازده را نوید می‌دهد و به گفته پروفسور
Weman، گرافن را به‌عنوان بهترین بستر برای رشد نیمه‌هادی‌ها معرفی می‌کند.

این پژوهش با عنوان Vertically Aligned GaAs Nanowires on Graphite and
Few-Layer Graphene: Generic Model and Epitaxial Growth در مجله Nano
Letter به چاپ رسیده است.