محققان دانشگاه NTNU نروژ موفق به ثبت اختراعی در حوزه رشد نانوسیم‌های گالیم ارسنیک بر پایه گرافن شدند. این ماده هیبریدی دارای خواص رقابتی با سایر نیمه‌هادی‌ها بوده و قادر به ایجاد تحولی شگرف در صنعت نیمه‌هادی است.
رشد نیمه‌هادی‌ها بر پایه گرافن
| محققان دانشگاه NTNU نروژ موفق به ثبت اختراعی در حوزه رشد نانوسیم‌های گالیم ارسنیک بر پایه گرافن شدند. این ماده هیبریدی دارای خواص رقابتی با سایر نیمه‌هادی‌ها بوده و قادر به ایجاد تحولی شگرف در صنعت نیمه‌هادی است. جزئیات مربوط به روش انجام این کار در مجله Nano Letters به چاپ رسیده است. انتظار می‌رود که نیمه‌هادی‌های رشد داده شده بر پایه گرافن، مبنای ایجاد
|
 |
| نانوسیم‌های رشد داده شده بر پایه گرافن |
| به گفته پروفسور Helge Weman محقق داننشکده الکترونیک دانشگاه NTNU، ” این ماده هیبریدی دارای خواص نوری – الکتریکی عالی بوده همچنین قیمت مناسب، شفافیت و انعطاف پذیری از دیگر مزایای آن است”. در این پژوهش برای رشد نانوسیم‌های نیمه‌هادی بر روی لایه نازک گرافن از پروفسور Weman خاطر نشان می‌کند “در این پژوهش یک ماده جدید سنتز نشده است به گفته پروفسور Weman “شرکت‌هایی مانند IBM و Samsung مایل به یافتن این اختراع منجر به ارتقا محصولات الکترونیکی و نوری – الکترونیکی در آینده این پژوهش با عنوان Vertically Aligned GaAs Nanowires on Graphite and
|
