اچ کردن و رصد همزمان نیمه‌هادی‌ها با استفاده از نور

سازندگان تراشه‌ها باید در هنگام تولید تراشه‌ها با دقت بالایی ابعاد آنها
را کنترل کنند. ابعاد این قطعات روی عملکرد آنها تاثیر گذاشته و مقدار سرعت
و خطای آنها را مشخص می‌کند. معمولا از مواد شیمیایی برای اچ کردن و شکل‌دهی
نیمه‌هادی‌ها استفاده می‌شود اما مواد شیمیایی باقی‌مانده‌هایی دارد که می‌تواند
مشکل ساز شود. بنابراین محققان مجبور به استفاده از روش‌های پرهزینه و زمان‌بر
هستند. برای حل این مشکل، محققان روش جدیدی ارائه کردند که با استفاده از
آن می‌توان سطح نیمه‌هادی را اچ کرد و به‌طور هم‌زمان آن را رصد نمود. این
کار با قدرت تفکیک نانومتری انجام می‌شود. برای این کار از نوع خاصی
میکروسکوپ استفاده می‌شود که دارای دو پرتو موازی است.

این روش جدید سریع‌تر، کم هزینه‌تر و کم نویزتر از روش‌هایی نظیر میکروسکوب
نیروی اتمی و میکروسکوپ تونل‌زنی روبشی است. در این روش‌های رایج تنها قبل
و بعد از اچ کردن می‌توان سطح را رصد کرد. مزیت دیگر این روش آن است که در
آن از نور استفاده می‌شود و هیچگونه تماسی با سطح وجود ندارد بنابراین
می‌توان تمام سطح را یک جا مشاهده کرد و نیاز به رصد نقطه به نقطه سطح
نیست.

در این روش نور خود به‌عنوان یک کاتالیزور فرآیند اچ کردن را تسریع می‌کند
که به آن اچ فتوشیمیایی گفته می‌شود. اچ کردن شیمیایی رایج موجب بروز
برآمدگی‌ها و فرورفتگی‌های ناخواسته می‌شود، همچنین باید سطح پیش از اچ شدن
توسط ماسک‌های گران‌قیمت پوشیده شود در حالی که در این روش جدید نیاز به
ماسک نیست بنابراین در کمترین زمان تمام سطح اچ می‌شود.