تلاش آمریکا برای حفظ پیشگامی در حوزه نانوالکترونیک

موسسه ملی استاندارد و فناوری (NIST) ایالات متحده آمریکا به تازگی و برای پشتیبانی از تحقیقات دانشگاه محور، از پیشگامی تحقیقات نانوالکترونیک (NRI) این کشور حمایت می‌کند. این پیشگامی که با همکاری چندین شرکت مطرح فعال در زمینه صنعت نیمه‌هادی‌ها انجام می‌شود، به دنبال توسعه نسل آتی فناوری «نانوالکترونیک» است.

تحقیقات NRI با همکاری شرکت‌هایی نظیر گلوبال فوندریز، اینتل، IBM، میکرو تکنولوژی و تگزاس اینسترومنت انجام می‌شود. به گفته پاتریک گالاگر، مدیرNIST،« پروژه NRI مدلی برای یک کنسرسیوم صنعت‌محور است.» این برنامه از یک برنامه تحقیقاتی منسجم نانوالکترونیک، با محوریت دانشگاه‌های پیشگام و همکاری سازمان‌های دولتی فدرال و ایالتی انجام می‌شود.

نوآوری حاصل از جایزه NIST، ایالات متحده آمریکا را قادر خواهد ساخت تا پیشگامی کنونی خود را در حوزه نانوالکترونیک که مشوق اقتصاد این کشور بوده و باعث ایجاد مشاغل جدید می‌شود، حفظ کند. NIST طی مدت ۵ سال، مبلغ ۲٫۶ میلیون دلار به این پروژه اختصاص می‌دهد تا مکمل بودجه ۸۷۰ هزار دلاری سالیانه NRI در این پروژه باشد.

این برنامه از تحقیقات مراکز دانشگاهی اقصی نقاط کشور که در زمینه توسعه فناوری‌های بنیادی نانومقیاس جهت جایگزینی با فناوری‌های ترانزیستور CMOS (نیمه‌هادی اکسید فلزی مکمل) فعالیت می‌کنند، حمایت مالی می‌کند.

طی دهه‌های گذشته، تراشه‌های CMOS مبتنی بر سیلیکون کوچک‌تر، پیچیده‌تر و قدرتمندتر شده است. به گفته تام تیز، مدیر NRI، «پیشرفت مستمر در صنعت الکترونیک، نیازمند تحقیقات جدید است، نسل‌های آتی الکترونیک مبتنی بر ادوات جدیدی خواهند بود که با استفاده از ترانزیستورهای رایج قابل توسعه نیستند.»

پیشگامی NRI توسط انجمن صنایع نیمه‌هادی (SIA) در سال ۲۰۰۵ آغاز شده است. از آن زمان تاکنون حدود ۵۰۰ دانشجو از ۵۵ دانشگاه با این برنامه همکاری داشته‌اند که حاصل آنها ۳۴ پتنت و ۱۹۰۰ مقاله تحقیقاتی بوده است. در حال حاضر NRI از ۴ مرکز دانشگاهی اصلی زیر حمایت می‌کند:

• موسسه نانوالکترونیک وسترن (WIN) در کالیفرنیا؛

• موسسه اکتشاف نانوالکترونیک میدوست (MIND) در ایندیانا؛

• موسسه اکتشاف و بهره‌برداری نانوالکترونیک (INDEX) در نیویورک؛ و

• آکادمی نانوالکترونیک SouthWest (SWAN) در تگزاس.