مطالعه اثر نانوذرات اکسید آهن در برچسب‌زنی سلولی

یک تیم تحقیقاتی از سه موسسه پزشکی در  چین دریافتند که نانوذرات
اکسید آهن می‌تواند به‌عنوان عامل کنتراست دهنده برای آزمون‌های MR مورد
استفاده قرار گیرد. تاثیر نانوذرات اکسید آهن روی سلول‌ها به فاکتورهای
متعددی از قبیل دوز نانوذرات بستگی دارد. نتایج تحقیقات این گروه نشان داد
که درصد سلول‌های حاوی اکسید آهن ۴۸ ساعت بعد از تزریق بسیار کمتر از ۲۴
ساعت اولیه است. آنها همچنین دریافتند که غلظت نانوذرات اکسید آهن می‌تواند
روی فعالیت سلول تاثیرگذار باشد. غلظت بالا ممکن است موجب مرگ سلولی شود.
نتایج این پژوهش در نشریه
Cell
Transplantation به چاپ رسیده است.

 وین لی چن، یکی از نویسندگان
این مقاله می‌گوید عامل کنتراست دهنده خوب در MR باید چند ویژگی مهم داشته
باشد. چن که در دانشگاه نرمال چین جنوبی فعالیت دارد می‌افزاید از این
ویژگی‌ها می‌توان به سمیت‌کم، پایداری بالا، حساسیت بالا، حلالیت خوب و
امکان باقی‌ماندن در سلول هدف به مدت طولانی اشاره کرد. در این پژوهش ما
دریافتیم که نانوذرات اکسید آهن بسیار حساس بوده و می‌توانند میدان مغناطیس
ساکن را مختل کنند با این کار سیگنال‌های MR تغییر می‌کند.

این تیم
تحقیقاتی دریافته است که نانوذرات اکسید آهن به جای چسبیدن به دیواره بیرون
سلول می‌تواند وارد سلول شود، این گروه تحقیقاتی دریافته است که نسبت
مستقیمی میان تعداد سلول‌های برچسب خورده و شدت سیگنال‌ها وجود دارد.
محققان می‌گویند ما برای اولین بار دریافتیم که غلظت بالای نانوذرات اکسید
آهن تزریق شده می‌تواند موجب مرگ سلولی شود.

نتایج پژوهش‌های آنها نشان
می‌دهد که افزایش زمان ماندگاری نانوذرات اکسید آهن در سلول‌ها موجب افزایش
تعداد سلول‌های برچسب خورده نمی‌شود به‌طوری که اگر این زمان از ۲۴ ساعت به
۴۸ ساعت افزایش یابد تعداد سلول‌های برچسب خورده کاهش شدیدی پیدا می‌کنند.

محققان چنین نتیجه‌گیری کردند که این امکان وجود دارد که آهن در فضای بین
سلولی اشباع شده و موجب دفع سلول‌ها شوند. بنابراین تعیین غلظت بهینه دوز
نانوذرات اکسید آهن تزریق شده گام مهمی در فرآیند برچسب‌زنی سلولی است.

نتایج این پژوهش در قالب مقاله‌ای تحت عنوان Effects of Iron Oxide
Nanoparticle Labeling on Human Endothelial Cells در نشریه Cell
Transplant به چاپ رسیده است.