یک تیم تحقیقات استرالیایی موفق شده است با استفاده از گرافن و اکسید مولیبدن ترانزیستور بسیار سریع تولید کند. سرعت حرکت الکترون در این ترانزیستور بیشتر از ادوات الکترونیکی سیلیکونی است.
ساخت ترانزیستوری بسیار سریع از گرافن و اکسید مولیبدن
یک تیم تحقیقات استرالیایی موفق شده است با استفاده از گرافن و اکسید مولیبدن ترانزیستور بسیار سریع تولید کند. سرعت حرکت الکترون در این ترانزیستور بیشتر از ادوات الکترونیکی سیلیکونی است.
موادی از جنس اکسیدهای مولیبدن با ساختار بلوری می‌تواند خواص الکترونی منحصر به‌فردی داشته باشد به‌طوری که حرکت الکترون‌ها در آن با سرعت بالایی انجام شود. در مقاله‌ای که اخیرا در نشریه Advanced Materials به چاپ رسیده است محققان نشان دادند که چگونه این لایه‌ها می‌تواند هدایت الکتریکی بالایی داشته باشد.
گرافن در سال ۲۰۰۴ توسط محققان بریتانیایی به دنیا معرفی شد آنها موفق به دریافت جایزه نوبل سال ۲۰۱۰ برای کشف این ماده ارزشمند شدند. هر چند الکترون‌ها دارای سرعت بالایی در گرافن هستند اما خواص فیزیکی این ماده مانع از استفاده از آن در ادوات الکترونیکی با سرعت بالا است.
سرگی ژویکوف از محققان این پروژه می‌گوید این ماده جدید از لایه‌های کربنی تشکیل شده که ضخامتی در حد یک اتم دارد. یافته‌های ما نشان می‌دهد که الکترون با چه سرعتی از میان لایه‌های گرافن عبور می‌کند. کوروش کلانترزاده از محققان این پروژه می‌گوید ما موفق شدیم مانعی را از مسیر حرکت الکترون در گرافن برداریم این کار برای توسعه ادوات الکترونی مبتنی بر گرافن بسیار ضروری است.
کلانترزاده می‌گوید زمانی که الکترون به موانع بخورد می‌کند به‌جای پراش یافتن، از میان آن عبور می‌کند در نتیجه سرعت حرکت الکترون در گرافن بسیار بیشتر از مواد معمولی است. بنابراین با افزایش سرعت حرکت الکترون درگرافن می‌توان دستگاه‌های کوچک‌تر و سریع‌تر تولید کرد به‌طوری که بتوانند اطلاعات را با سرعت بالاتری منتقل کنند. هرچند هنوز باید تحقیقات بیشتری در این باره انجام داد اما ما در حال حاضر موفق شدیم با استفاده از این ماده سیستمی تولید کنیم که می‌تواند انقلابی در ادوات الکترونیکی محسوب شود.
کلانترزاده می‌گوید زمانی که الکترون به موانع بخورد می‌کند به‌جای پراش یافتن، از میان آن عبور می‌کند در نتیجه سرعت حرکت الکترون در گرافن بسیار بیشتر از مواد معمولی است. بنابراین با افزایش سرعت حرکت الکترون درگرافن می‌توان دستگاه‌های کوچک‌تر و سریع‌تر تولید کرد به‌طوری که بتوانند اطلاعات را با سرعت بالاتری منتقل کنند. هرچند هنوز باید تحقیقات بیشتری در این باره انجام داد اما ما در حال حاضر موفق شدیم با استفاده از این ماده سیستمی تولید کنیم که می‌تواند انقلابی در ادوات الکترونیکی محسوب شود.
در مقاله‌ای تحت عنوان ‘Enhanced Charge Carrier Mobility in Two-Dimensional High Dielectric Molybdenum Oxide’ که این گروه تحقیقاتی به چاپ رسانده است، پژوهشگران نشان دادند که چگونه با استفاده از لایه لایه کردن، می‌توان ورقه‌هایی به ضخامت ۱۱ نانومتر تولید کرد. این ماده که از جنس اکسید مولیبدن می‌باشد تبدیل به ترانزیستور نیمه‌هادی نانومقیاس می شود. نتایج این پژوهش نشان داد که سرعت حرکت الکترون در این سیستم>۱,۱۰۰ cm2/Vs است، این رقم بیشتر از جریان استانداردی است که در سیلیکون وجود دارد.
