ارائه فرآیندی برای تولید لایه‌های نازک الماس در دمای پایین

آزمایشگاه ملی آرگونه و شرکت آخان تکنولوژیز فرآیند جدیدی برای ایجاد لایه‌های نازک از جنس الماس ارائه کرده‌اند. مزیت این روش جدید آن است که در دمای پایین قابل انجام است.

آزمایشگاه ملی آرگونه اعلام کرده که این آزمایشگاه حقوق لیسانس مربوط به یک نیمه‌هادی الماس را به شرکت آخان تکنولوژیز اعطا کرده است. توسعه فناوری رسوب الماس در دمای پایین توسط مرکز نانومواد آزمایشگاه آرگونه انجام شده است که حق استفاده از آن در اختیار این شرکت قرار داده شده است.
فناوری جدیدی که توسط آزمایشگاه آرگونه ارائه شده است این امکان را فراهم می‌کند که رسوب نانوبلورهای الماس‌ها در دمای ۴۰۰ درجه سانتیگراد روی زیرلایه‌های مختلف ویفری ایجاد شود. با تلفیق این فناوری جدید با فرآیند Miraj Diamond™ که در اختیار شرکت آخان است می‌توان فناوری لایه‌های نازک نیمه‌هادی الماس را در اختیار داشت. آنیرودها سومانت از محققان آزمایشگاه آرگونه می‌گوید تحت این لیسانس ما می‌توانیم فرآیند جدید شرکت آخان را برای تقویت نوع n در الماس‌ مورد استفاده قرار دهیم و از سوی دیگر از فناوری رسوب الماس در دمای پایین که توسط آزمایشگاه آرگونه ارائه شده نیز در این فرآیند بهره میگیریم. با این کار می‌توان محدودیت موجود در به کارگیری لایه‌های نازک الماس در صنعت نیمه‌هادی را شکست. این محدودیت مربوط به تقویت نوع n این لایه‌ها است.
آندریاس رولف از محققان آزمایشگاه آرگونه می‌گوید این یک گام مهم در تحقق رویاهای عصر الماس است. این که می‌توان تحقیقات پایه را به سمتی برد که منجر به خلق فناوری‌های جدید شود، بسیار شگفت‌انگیز است. این که یک شرکت تجاری لیسانس فناوری شما را در اختیار بگیرد به این معناست که در شما در کار خود در مسیر مناسب و صحیح حرکت کرده‌اید.
شرکت آخان و آزمایشگاه ملی آرگونه قصد دارند تا این تحقیقات را از طریق پیشگامی توافق توسعه و تحقیقات (CRADA) ادامه دهند. در یک بخش از این پروژه همکاری، محققان شرکت آخان و آزمایشگاه آرگونه موفق شدند با کار روی ادوات الماسی نشان دهند که درصورت استفاده از فرآیند Miraj Diamond™ عملکرد ادوات الماسی بهبود می‌یابد. این فرآیند مبتنی بر الماس نانوبلوری دمای بالا است. اخان اعلام کرده نتایج تعیین مشخصات فناوری Miraj Diamond™ را در Materials Research Society (MRS) Online Proceedings Library منتشر کرده است. این نتایج در قالب مقاله‌ای تحت عنوان On Enabling Nanocrystalline Diamond For Device Use: Novel Ion Beam Methodology and The Realization Of Shallow N-Type Diamond به چاپ رسیده است.