شرکت سامسونگ موفق به ارائه فناوری eFlash 45 نانومتری شده است. این فناوری یک سیستم الکترونیکی بوده که می‌توان از آن در کارت‌های هوشمند استفاده کرد. با این فناوری امنیت، سرعت و دوام این کارت‌ها بهبود می‌یابد. سرعت این فناوری نسبت به فناوری رایج ۵۰ درصد و کارایی آن ۲۵ درصد بیشتر است.
افزایش امنیت کارت‌های هوشمند با مدار ۴۵ نانومتری
شرکت سامسونگ الکترونیک، یکی از بزرگترین تولیدکنندگان مواد نیمه‌هادی پیشرفته در جهان، اعلام کرد که این شرکت موفق به تولید یک مدار ۴۵ نانومتری موسوم به eFlash شده است. سامسونگ این مدار الکترونیکی را با موفقیت درون تراشه‌های موجود در کارت‌های هوشمند قرار داده است، با این کار ایمنی کارت‌ها افزایش یافته است. تست‌های اولیه روی این سیستم جدید نشان می‌دهد که شرایط برای تجاری‌سازی آن مهیا است.
تاهون کیم، قائم مقام بخش بازاریابی شرکت سامسونگ می‌گوید این سیستم جدید دارای پتانسیل به کارگیری در ادوات همراه و محصولات امنیتی نظیر کارت‌های هوشمند است. عملکرد عالی این سیستم در تست‌های اولیه تداوم پیشگامی ما را در بازار کارت‌های هوشمند نوید می‌دهد.
در صورت استفاده از فناوری eFlash در کارت‌های هوشمند می توان مطمئن شد که این کارت‌ها بعد از یک میلیون بار استفاده هنوز با اطمینان بالا قابل استفاده باشند. در مقایسه با سیستم‌های فعلی که در بازار استفاده می‌شود این فناوری جدید عملکردی بسیار عالی دارد به طوری که سیستم‌های فعلی به صورت معمول ۵۰۰ هزار بار قابلیت استفاده دارند در حالی که این سیستم جدید دو برابر بیشتر از فناوری رایج توان کار دارد.
از نقطه نظر سرعت و کارایی نیز eFlash 45 نانومتری مزیت‌هایی نسبت به سیستم‌های eFlash 80 نانومتری رایج دارد به طوری که سرعت آن ۵۰ درصد بیشتر و کارایی آن نیز ۲۵ درصد بیشتر از این سیستم‌ها است. شرکت سامسونگ با تکیه بر دانش و تجربه چند دهه خود در بخش تولید حافظه‌ها و پردازنده‌ها موفق به توسعه این فناوری شده است. این دستاورد جدید سامسونگ موجب شده تا قدرت رقابت‌پذیری این شرکت افزایش یافته و امکان برآوردن نیاز مشتریان خود در بخش‌های مختلف نظیر خودروسازی و تولیدکنندگان میکروکنترلر فراهم شود. هدف شرکت سامسونگ از فعالیت در این حوزه رسیدن به فناوری‌های سریع‌تر، کاراتر و همچنین حافظه‌هایی با ظرفیت بالاتر است.
مدیران شرکت سامسونگ معتقداند که تجاری سازی فناوری eFlash 45 نانومتری تا نیمه دوم سال ۲۰۱۴ امکان‌‌پذیر باشد.
