گامی نو در ساخت تجهیزات الکترونیک انعطافپذیر و شفاف

یک گروه تحقیقاتی به رهبری لیانگ بینگ هو از دانشگاه مریلند، ترانزیستورهایی با ‏استفاده از نوعی خاصی از نانوکاغذ ساخته‌اند. این محققان نشان داده‌اند ترانزیستورهای اثر ‏میدانی آلی انعطاف‌پذیر (‏OFET‏) را می‌توان با شفافیت بالا و خواص مکانیکی عالی، با ‏نانوکاغذهای مناسب ساخت. ‏

یک گروه تحقیقاتی به رهبری لیانگ بینگ هو از دانشگاه مریلند، ترانزیستورهایی با ‏استفاده از نوعی خاصی از نانوکاغذ ساخته‌اند. این محققان نشان داده‌اند ترانزیستورهای اثر ‏میدانی آلی انعطاف‌پذیر (‏OFET‏) با شفافیت بالا و خواص مکانیکی عالی، را می‌توان با ‏نانوکاغذهای مناسب ساخت.

اخیرا، کاغذهای سلولزی به علت وزن سبک، هزینه کم، همه کاره بودن و قابلیت چاپ ‏قطعات الکترونیکی به صورت غلتک به غلتک، برای جایگزینی لایه‌های پلاستیکی مورد ‏توجه قرار گرفته‌اند. محققان پیش از این انواع مختلفی از وسایل مانند باتری‌ها، پیل‌‌های ‏خورشیدی و یا برچسب‌های ‏RFID‏ را بر روی کاغذها چاپ کرده‌اند.‏

برای کاربردهای اینچنینی، نانوکاغذهای شفاف نسبت به کاغذهای معمولی و لایه‌های ‏پلاستیکی برتری‌های فراوانی دارند. نانوکاغذهای ساخته شده از سلولز (مانند کاغذهای ‏سنتی)، نسبت به کاغذهای رایج، زبری کمتر و شفافیت بیشتری دارند. این خاصیت به علت ‏استفاده از الیاف سلولزی نانومقیاس برای ساخت‌شان است.‏

با توجه به فرآیند ساخت قطعات الکترونیکی و در مقایسه با لایه‌های پلاستیکی، مزیت ‏اصلی نانوکاغذها، پایداری حرارتی بهتر و در حقیقت تحمل حرارت بیشتر در حین فرآیند ‏ساخت، نسبت به پلاستیک‌ها است.

filereader.php?p1=main_496595106612b4859
تصویری از یک ترانزیستور نانوکاغذی شفاف و انعطاف‌پذیر.‏

نانوکاغذ خود شفاف بوده و به منظور اینکه بیشترین شفافیت دستگاه حفظ شود، مواد ‏نیمه‌رسانا مورد استفاده هم باید شفاف باشند. برای رسیدن به این هدف، این محققان از یک ‏فیلم نانولوله کربنی تک‌جداره با رسانایی بسیار بالا بعنوان الکترود گیت شفاف در این ‏ترانزیستور استفاده کردند. ‏

در این ترانزیستور به جای استفاده از فیلم‌های اکسیدی رسانا و شفاف از فیلم نانولوله ‏کربنی استفاده شد، زیرا فیلم‌های اکسیدی شفاف ترد هستند و می‌توانند در حین فرآیند تولید ‏ترک بردارند. علاوه بر این، فیلم نانولوله کربنی را می‌توان با روش‌های مختلف و ارزان ‏قیمت مانند پوشش‌دهی میله‌ای رسوب داد، در حالی که رسوب فیلم اکسیدی شفاف نیازمند ‏روش‌های گران مانند رسوب‌دهی در خلاء و آنیلینگ در دمای بالا است.‏

این ‏OFETهای نانوکاغذی، مشخصات الکترونیکی ترانزیستوری خوبی از خود نشان ‏داده‌اند. برای نشان دادن انعطاف‌پذیری این ترانزیستورهای نانوکاغذی، تحرک الکترون قبل ‏و در حین خم‌شدن اندازه‌گیری شد. تنها ده و دو دهم و نه و هشت دهم درصد کاهش در ‏تحرک الکترون‌ها به ترتیب زمانی که قطعه در جهت موازی با جهت کانال انتقال و عمود بر ‏جهت کانال انتقال خم شد، مشاهده گردید.‏

این خواص عالی نوری، مکانیکی و الکتریکی نشان‌دهنده پتانسیل بالای ‏OFETهای ‏نانوکاغذی در نسل بعدی وسایل الکترونیکی انعطاف‌پذیر و شفاف و در گسترده وسیعی از ‏دیگر کاربردهای مقرون به صرفه و عملی است. ‏

این محققان جزئیات نتایج کار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی ‏ACS Nano‏ منتشر کرده‌اند.‏