دستگاه SEM با امکان بررسی نقص‌های ساختاری

اخیرا دستگاه SEM جدیدی به بازار عرضه شده که امکان بررسی نقص‌های ساختاری را داراست. از این دستگاه می‌توان به صورت ویژه برای بررسی مواد نیمه‌هادی استفاده کرد.

شرکت اپلاید متریال (Applied Materials) اعلام کرد که محصول جدیدی موسوم به SEMVision(TM) را به بازار عرضه کرده است. این محصول یک دستگاه بررسی نقص ساختاری است که می‌تواند برای مطالعه ساختار نیمه‌هادی‌ها به خصوص تراشه‌ها مناسب باشد. از آنجایی که در تولید ترانزیستورهای سه بعدی با نود یک نانومتری نیاز به ابزاری دقیق برای مطالعه ساختاری است، این دستگاه می‌تواند در این حوزه مورد استفاده قرار گیرد. SEMVisionG6 یک سیستم آنالیز نقص ساختاری بوده که دارای قدرت تفکیک بسیار بالایی است. علاوه بر این، این دستگاه از قابلیت تصویربرداری چند بعدی برخوردار است که در آن از سیستم دسته‌بندی نقص خودکار موسوم بهPurity(TM) Automatic Defect Classification (ADC) استفاده شده است. این سیستم دسته‌بندی نقص خودکار، اولین نمونه از فناوری DR SEM بوده که برای صنعت نیمه‌هادی ساخته شده است.
ایتای روسنفلد از مدیران این شرکت می‌گوید: این که بتوان دستگاهی برای آنالیز نقص ساختاری طراحی کرد، کار چالش برانگیزی است. زیرا برای این کار نیاز به طراحی پیچیده‌ای است. سیستم SEMVision که ما طراحی کردیم به دلیل بهره‌گیری از ابزار ADC دشواری‌های کنترل فرآیند را ندارد، در واقع به دلیل وجود ADC چالش عدم انطباق‌پذیری دستگاه با سیستم‌های تصویربرداری مرتفع شده است.
مشتریانی که تاکنون موفق به نصبSEMVision و ADC شده‌اند، می‌توانند از مزایایی نظیر سرعت بالای آنالیز و تصویربرداری بهره‌مند شده و از سوی دیگر، کیفیت نتایج آنها نیز بهبود قابل توجهی خواهد داشت.
طراحان سیستم SEMVision معتقداند که این دستگاه نسبت به همتایان نسل قبل خود ۳۰ درصد بهبود قدرت تفکیک داشته است که این رقم برای فعالان صنعت بسیار ارزشمند است. این دستگاه دارای سیستم پرتودهی با قابلیت چرخش است. همچنین از ابزار DR SEM آن می‌توان برای شناسایی و آنالیز نقص‌های سه بعدی در ترانزیستورها استفاده کرد. این سیستم دارای شناساگر بسیار پیشرفته‌ای بوده که قادر به ترسیم تصاویر توپوگرافی از نقص‌های بسیار کوچک یا توخالی است. محدوده شناسایی این دستگاه بسیار وسیع بوده، قادر به شناسایی الکترون‌های بازگشتی بوده و همچنین امکان فیلتر کردن انرژی با نسبت ارتفاع به عرض بالا را دارا است. قدرت پرتاب الکترون در این دستگاه بالا بوده به طوری که می‌توان نقص‌های موجود در لایه‌های زیرین را نیز مشاهده کرد.