شرکت ایسیلوم ریسرچ (Asylum Research) با همکاری شرکت پریمنانو (PrimeNano Inc) موفق به ساخت میکروسکوپ روبشی مقاومت ماکرویو (sMIM) شدهاست. این میکروسکوپ، اطلاعات نانومقیاس از هدایت و ظرفیت الکتریکی سطح را ارائه میکند.
میکروسکوپی برای ترسیم نقشه نانومقیاس از هدایت و ظرفیت الکتریکی سطح
شرکت ایسیلوم ریسرچ (Asylum Research) میکروسکوپ روبشی مقاومت ماکرویو (sMIM) به بازار عرضه کرده است، این میکروسکوپ از خانواده میکروسکوپ نیروی اتمی بوده که میتواند نقشه نانومقیاس از هدایت و ظرفیت الکتریکی سطح ارائه کند. این ابزار جدید قادر است از مواد مختلفی نظیر نیمههادیها، مواد رسانا و عایقها با قدرت تفکیک و حساسیت بالا تصویربرداری کند. sMIM آخرین ابزاری است که این شرکت در راستای برنامه پیشگامی توپوگرافی تولید کرده است. در این برنامه، شرکت ایسیلوم قصد دارد تا دستگاههایی برای تصویربرداری با قدرت تفکیک بالا از سطوح تهیه کرده و اطلاعات نانوالکترونیکی و نانومکانیکی ارزشمندی به کاربران ارائه کند.
این میکروسکوپ جدید با همکاری مشترک شرکت پریمنانو (PrimeNano Inc) ساخته شدهاست. این شرکت فناوری موسوم به ScanWave™ را برای تولید این میکروسکوپ به کار گرفته است. در این میکروسکوپ از فناوری MFP- 3D™ و Cypher™ AFMs شرکت ایسیلوم استفاده شدهاست.
مود نانوالکترونیک دستگاه AFM مدتهاست که در آزمایشگاههای تحقیقات میکروالکترونیک استفاده میشود زیرا این مود اطلاعات ارزشمندی درباره ساختار، عملکرد و مشکلات نمونههای الکترونیکی ارائه میکند. با این حال، این مود نمیتواند اطلاعات زیادی درباره مقاومت و ظرفیت الکتریکی نمونهها ارائه کند؛ علاوه براین، به آمادهسازی دشواری برای چنین تستهایی نیاز است. این میکروسکوپ جدید میتواند این نوع تصویربرداری را به شدت بهبود داده زیرا امکان تعیین ظرفیت الکتریکی و مقاومت نمونه با حساسیت بالا وجود خواهد داشت و از سوی دیگر آمادهسازی نمونه در این روش بسیار ساده است. وجود مزایای متعدد در روش sMIM موجب شده تا بتوان از این روش برای مطالعه نمونههای مختلف نظیر مواد فروالکتریک، پیزوالکتریک و نانوساختارهای کم بـُـعد نظیر گرافن، نیترید بور و دیسولفید مولیبدن استفاده کرد.
کیت جونز از محققان شرکت ایسیلوم میگوید: sMIM یک پیشرفت بسیار بزرگ در حوزه مطالعات نانوالکترونیک بوده که من در طول ۱۲ سال تحقیقات شاهد آن بودهام. این که ابزاری داشته باشیم که بتواند هدایت و ظرفیت الکتریکی را نشان دهد، موجب ترسیم تصویر بهتری از نمونهها خواهد شد. قدرت تفکیک و حساسیت این روش بالاتر از تمام روشهایی است که تاکنون استفاده کردهام.
