اخیرا روش سادهای برای افزایش کارایی پیلهای خورشیدی ارائه شدهاست. در این روش الگوهایی از جنس نانوسیم روی پیل ایجاد میشود.

افزایش کارایی پیل خورشیدی با الگودهی نانومقیاس
شرکت باندگپ اینجینیرینگ (Bandgap Engineering) موفق به افزایش ۰٫۴درصدی کارایی پیلهای خورشیدی تجاری شدهاست به طوری که این بازده از ۱۷٫۲درصد به ۱۷٫۶درصد رسیده است. این کار با ایجاد یک الگویی از جنس نانوسیم انجام شدهاست. برای تولید این پیل خورشیدی، پژوهشگران از یک تولیدکننده خواستند تا ۸۴ ویفر چندبلوری را از طریق فرآیند صنعتی استاندارد تولید پیل، برای این پروژه تولید کرده و در اختیار آنها قرار دهد. تنها تفاوت موجود در این ویفرها این بود که نیمی از آنها دارای پوششی حاوی نانوساختار بودند که از روش پتنت شده شرکت باندگپ اینجینیرینگ بهدست آمده بود. نیم دیگر، تنها پوشش استاندارد اسیدی داشتند.
جف مایلر از مدیران شرکت باندگپ اینجینیرینگ میگوید: بهترین پیلهای خورشیدی نانوسیمی دارای کارایی ۱۷٫۷۶درصد است در حالی که پیلهای خورشیدی استاندارد بازده ۱۷٫۳۲درصدی دارند. این درحالی است که خط تولید پیل خورشیدی استاندارد برای تولید این نوع پیلها طراحی شده، بنابراین اگر خط تولید را به نحوی طراحی کرد که برای پیلهای خورشیدی نانوسیمی مناسب شود میتوان پیلهای نانوسیمی کاراتری با این روش تولید کرد.
مارسی بلک از مدیران شرکت باندگپ اینجینیرینگ میگوید: نتایج این پژوهش نشان داد که کارایی پیلهای خورشیدی نانوسیمی بیشتر از پیلهای خورشیدی معمولی است، همچنین در این پژوهش مشخص شد که به سادگی میتوان با ایجاد تغییراتی، پیلهای خورشیدی تجاری کاراتر تولید کرد.
شرکت باندگپ اینجینیرینگ اعلام کرد که موفق به افزایش کارایی پیل های خورشیدی تک بلوری به ۱۹درصد شدهاست. این کار با همکاری مشترک موسسه فناوری جرجیا انجام شدهاست. فناوری نانوسیم این شرکت به نحوی توسعه یافته که قابل استفاده در فرآیند استاندارد تولید پیل خورشیدی است. از آنجایی که این فناوری موجب کاهش انعکاس میشود بنابراین برای ویفرهای چندبلوری که دارای انعکاس بالایی هستند ایدهآل است. همچنین این فناوری قابل استفاده در چند فرآیند تولید پیل خورشیدی تجاری است که در حال حاضر توسط برخی تولیدکنندگان استفاده میشود. شرکت باندگپ اینجینیرینگ راهبردهایی برای ایجاد الگو روی نانوسیمهای سیلیکونی ارائه کرده است که در آنها بدون نیاز به لیتوگرافی و الگودهی لیزی میتوان الگوی موردنظر را ایجاد کرد.