شرکت سامسونگ از نقشه راه توسعه فناوری ریخته‌گری خود تا سال ۲۰۲۰ رونمایی کرد. این شرکت قرار است فرآیند ۸ نانومتری خود را در سال جاری میلادی تجاری‌سازی کرده و ریخته‌گری ۴ نانومتری را نیز در سال ۲۰۲۰ تجاری‌سازی کند.
سامسونگ نقشه راه نانوریخته‌گری خود را عرضه کرد
شرکت سامسونگ از نقشه راه خود برای سامانه ریخته‌گری ۴ نانومتری در سال ۲۰۲۰ رونمایی کرد. براساس اطلاعات منتشر شده درباره این برنامه، سامسونگ قصد دارد تا فرآیند ۸ نانومتری خود را در اواخر سال جاری میلادی تجاری‌سازی کند. فرآیند ۷ نانومتری سال آینده انجام خواهد شد و فرآیند ۶ نانومتری در سال ۲۰۱۹ آماده بهره‌برداری خواهد شد.
از دیگر برنامه‌های سامسونگ می‌توان به قرار دادن حافظه MRAM در FD_SOI 18 نانومتری اشاره کرد که با توسعه این فناوری، تراشه‌هایی با قیمت پایین به بازار عرضه می‌شود. این شرکت قصد دارد تا پلتفورمی را کامل کند که در آن تابع فرکانس رادیویی و MRAM ترکیب می‌شوند. این فناوری در سال ۲۰۲۰ تجاری‌سازی می‌شود.
این نقشه راه در فروم ریخته‌گری سامسونگ اعلام عمومی شد و دپارتمان کسب و کار ریخته‌گری نیز در شرکت سامسونگ راه‌اندازی می‌شود.
سامسونگ علاوه براین، فناوری LPP 8 نانومتری (Low Power Plus) خود را که در سال جاری تجاری‌سازی می‌شود، معرفی کرد. این فناوری آخرین محصول در مقیاس میکرو خواهد بود. محصول دیگری که سامسونگ معرفی خواهد کرد، فناوری لیتوگرافی نانومقیاس است که قرار است در سال ۲۰۱۸ تجاری‌سازی شود.
سامسونگ پیش‌بینی می‌کند که این LPP 6 نانومتری در سال ۲۰۱۹ معرفی شود که مبتنی بر فرآیند ۷ نانومتری بوده و درجه ترکیب و توان کم آن افزایش یافته است. LLP 5 نانومتری قرار است همراه با فناوری LLP 6 نانومتری در سال ۲۰۱۹ تجاری‌سازی شود.
کیم کینام، مدیر شرکت سامسونگ، می‌گوید که ساختار ترانزیستور GAAFET یک گام پیشرفته‌تر از ترانزیستور FinFET است و برای اولین بار برای LLP 4 نانومتری مورد استفاده قرار می‌گیرد. این فناوری قرار است در سال ۲۰۲۰ تجاری‌سازی شود.
یون چانگ شیک، قائم مقام شرکت سامسونگ، می‌گوید که نقش نیمه‌هادی در نسل جدید ادوات الکترونیکی متصل به هم در حال پررنگ‌تر شدن است. وی می‌افزاید: «به عنوان یک کسب و کار ریخته‌گری که دارای نقشه راه برای فرآیندهای فناوری‌بالا است، ما در حال بهینه‌سازی روش‌های و فرآیندهای خود با استفاده از همکاری مشترک با مشتریان‌مان هستیم.»
