بهبود عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی

 متخصصان الکترونیک دانشگاه سمنان، توانستند
مشخصات ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله‌های کربنی را کنترل نموده و
قابلیت اطمینان این ادوات را افزایش دهند.

با پیشرفت فناوری نانو و استفاده از نانولوله‌های کربنی به جای ادوات
سیلیسیمی در صنعت الکترونیک، به خصوص در ترانزیستورها، سرعت سوئیچینگ کمتر
شده و توان مصرفی در مدارات مجتمع افزایش یافته است. بررسی این ادوات جدید
برای بهبود عملکرد آنها بسیار ضروری به نظر می‌رسد. برای افزایش بازدهی و
مقیاس‌پذیری ترانزیستورهای نانولوله‌ کربنی، باید در جستجوی روش‌هایی بود
تا قابلیت اطمینان قطعات آنها بهبود یابد.

دکتر علی‌اصغر اروجی، پژوهشگری است که تحقیقاتی برای افزایش قابلیت اطمینان
ترانزیستورهای نانولوله‌ کربنی انجام داده و مقیاس‌پذیری ترانزیستورهای اثر
میدانی نانولوله‌های کربنی را با گیت دوماده‌ای، بررسی کرده است.

وی در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه توسعه فناوری نانو گفت: «گیت‌های
الکترونیکی از دو فلز تشکیل شده‌اند، نتایج بررسی‌ها و تحقیقات نشان می‌دهد
که فلز گیت در نزدیکی سورس، دارای تابع کار بزرگتر از تابع کار فلز گیت در
نزدیکی درین است. این تفاوت تابع کار فلزهای گیت، باعث کاهش شدید جریان
نشتی، بهبود نوسانات زیر آستانه و افزایش بهره ولتاژ و نسبت جریان روشن به
خاموش می‌شود. همچنین توانستیم مشخصات ترانزیستورهای اثر میدانی
نانولوله‌های کربنی را به وسیله تغییر طول و میزان آلائیدگی ناحیه آلائیده
کنترل کنیم و با کاهش طول کانال، ولتاژ آستانه را افزایش دهیم».

گفتنی است؛ ترانزیستورهایی با این ویژگی‌ها، می‌توانند در صنایع هوافضا
استفاده شوند.

جزئیات این پژوهش که با همکاری زهرا عارفی‌نیا انجام شده، در مجلاتPhysica
E: Low-dimensional Systems and Nanostructures (جلد ۴۱، صفحات ۵۵۷ – ۵۵۲،
سال ۲۰۰۹) و
Japanese Journal of Applied Physics (جلد ۴۸، صفحات
(۷)۰۲۴۵۰۱، سال ۲۰۰۹) منتشر شده است.