پژوهشگران دانشگاه صنعتی چالمرز در سوئد، برای اولین بار یک ترکیب‌کننده FET گرافنی زیرهارمونیکی بدیع را در فرکانس‌های میکروموج به نمایش گذاشتند. این ترکیب‌کننده فرصت‌های جدیدی در الکترونیک آینده ایجاد می‌کند زیرا امکان فناوری مدارهای متراکم را مهیا می‌کند، قابلیت رسیدن به فرکانس های بالا را دارد و با فناوری سیلیکون اجتماع پذیر است.
افزایش سرعت الکترونیک آینده با ترکیب‌کننده گرافنی
|
پژوهشگران دانشگاه صنعتی چالمرز در سوئد، برای اولین بار یک ترکیب‌کننده FET گرافنی زیرهارمونیکی بدیع را در فرکانس‌های میکروموج به نمایش گذاشتند. این ترکیب‌کننده فرصت‌های جدیدی در الکترونیک آینده ایجاد می‌کند زیرا امکان فناوری مدارهای متراکم را مهیا می‌کند، قابلیت رسیدن به فرکانس های بالا را دارد و با فناوری سیلیکون اجتماع پذیر است. یک ترکیب‌کننده – افزاره‌ای که دو یا چند سیگنال الکترونیکی را ترکیب کرده |
|
|
|
تصویر شماتیکی از یک ترکیب‌کننده FET گرافنی زیرهارمونیکی. سیگنال‌های LO و RF به ترتیب به پایانه‌های درگاه و خروجی تزریق می‌شوند و سیگنال IF از پایانه خروجی استحصال می شود. |
|
توانایی موجود در گرافن در سوئیچ بین انتقال حامل‌های بار الکترونی و حفره‌ای از طریق اثر میدانی، فرصت منحصربه فردی برای کاربردهای ICهای RF ایجاد می‌کند. به خاطر این مشخصه الکتریکی متقارن است که پژوهشگران چالمرز موفق به ساخت ترکیب‌کننده مقاومتی زیرهارمونیکی G-FET با استفاده از فقط یک ترانزیستور شدند. از اینرو، به هیچ مدار تغذیه اضافی نیاز نیست و همین کار باعث فشرده‌تر شدن مدار ترکیب‌کننده در مقایسه با ترکیب‌کننده‌های متداول می‌گردد. بعنوان یک نتیجه، این نوع جدید ترکیب‌کننده هنگام ساخته شدن به سطح ویفری کمتری نیاز دارد و می‌تواند راه را برای آرایه‌های حسگری پیشرفته مانند تصویربردای در امواج میلی‌متری و حتی امواج زیرمیلی‌متری با پیشرفت فناوری G-FET باز کند. علاوه بر ایجاد مدارهای فشرده، این G-FET قابلیت رسیدن به فرکانس‌های بالاتر را، به این پژوهشگران جزئیات نتایج کار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی IEEE Electron Device |
