با ارائه یک روش ساخت جدید، مسیر تولید ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از یک نانومتر امکان‌پذیر می‌شود. یک تیم تحقیقاتی به سرپرستی جو مون هو از مرکز مواد جامد کوانتومی ون در والس در انستیتوی علوم پایه (IBS)، روش جدید برای دستیابی به رشد اپیتاکسیال مواد فلزی ۱D با عرض کمتر از ۱ نانومتر ارائه کرده است.
شرکت پاراگراف (Paragraf) اعلام کرد که ترانزیستورهای اثرمیدان گرافنی (GFET) این شرکت از طریق فروشگاه اینترنتی پاراگراف قابل تهیه است.
پژوهشگران ترانزیستوری ساختند که می‌تواند برهمکنش میان مولکول‌های مختلف را شناسایی کند. این ابزار حاوی نانولوله‌کربنی است.
پژوهشگران چند مرکز تحقیقاتی مختلف از آمریکا، ژاپن و انگلستان، موفق به ساخت ترانزیستوری حاوی مواد نانویی دو بُعدی شدند که قادر به یادگیری و تفکر است.
همانطور که فناوری اطلاعات و ارتباطات (ICT) داده‌ها را پردازش می‌کند، برق را نیز به گرما تبدیل می‌کند. در حال حاضر، ردپای CO2 اکوسیستم جهانی ICT با هوانوردی رقابت می‌کند. با این حال، به‌نظر می‌رسد که بخش بزرگی از انرژی مصرف‌شده توسط پردازنده‌های کامپیوتری صرف انجام محاسبات نمی‌شود. در عوض، بخش عمده‌ای از انرژی مورد استفاده برای پردازش داده‌ها صرف انتقال بایت‌ها بین حافظه و پردازنده می‌شود.
محققان دانشگاه پکن با همکاری چند گروه تحقیقاتی دیگر موفق شده‌اند نانولوله‌های کربنی را در FET (ترانزیستور اثر میدانی) در مقیاس ۹۰ نانومتری کوچک‌سازی کنند، متراکم‌ترین مقیاسی که تاکنون برای چنین کاری به دست آمده است.
با استفاده از روش‌های نانوساخت، یک ابزار زیست‌الکترونیک آلی ساخته شده است که می‌تواند درمان دقیق را میسر کند.
پژوهشگران با استفاده از اکسید روی گالیم ایندیم موفق به ساخت سیناپس نرومورفیکی شدند که می‌تواند در ساخت نمایشگرها استفاده شود.
در ژوئن سال ۲۰۲۲، شرکت گرافنا (Graphenea) آخرین محصول خود موسوم به MGFET را عرضه کرد، که یک ترانزیستور اثر میدان مبتنی بر گرافن است. گرافنا به تازگی اعلام کرده که تقاضای بازار برای این محصولات بسیار عالی بوده است. این شرکت در تلاش است تا دستگاه‌های MGFET بیشتری را تولید و به بازار عرضه کند.
شرکت گرافنا ترانزیستورهای اثرمیدان گرافنی تولید و به بازار عرضه کرده است که می‌توان آن‌ها را به دیگر قطعات الکترونیکی نظیر تراشه‌ها متصل کرد.