یکی از کوچکترین ترانزیستورهای حاوی نانولوله‌کربنی ساخته شد

یکی از کوچکترین ترانزیستورهای حاوی نانولوله‌کربنی ساخته شد

محققان دانشگاه پکن با همکاری چند گروه تحقیقاتی دیگر موفق شده‌اند نانولوله‌های کربنی را در FET (ترانزیستور اثر میدانی) در مقیاس ۹۰ نانومتری کوچک‌سازی کنند، متراکم‌ترین مقیاسی که تاکنون برای چنین کاری به دست آمده است.

753
افزایش تولید انبوه ترانزیستور اثرمیدان گرافنی

افزایش تولید انبوه ترانزیستور اثرمیدان گرافنی

در ژوئن سال ۲۰۲۲، شرکت گرافنا (Graphenea) آخرین محصول خود موسوم به MGFET را عرضه کرد، که یک ترانزیستور اثر میدان مبتنی بر گرافن است. گرافنا به تازگی اعلام کرده که تقاضای بازار برای این محصولات بسیار عالی بوده است. این شرکت در تلاش است تا دستگاه‌های MGFET بیشتری را تولید و به بازار عرضه کند.

969
استفاده از ۵۰ میلیارد ترانزیستور روی تراشه، با ترانزیستورهای ۲ نانومتری

استفاده از ۵۰ میلیارد ترانزیستور روی تراشه، با ترانزیستورهای ۲ نانومتری

شرکت آی‌بی‌ام موفق به ساخت ترانزیستورهایی با ابعاد ۲ نانومتر شده‌ است. این کوچکترین ترانزیستوری است که ساخته شده و به این شرکت اجازه می‌دهد تا ۵۰ میلیارد ترانزیستور را روی یک تراشه به اندازه ناخن قرار دهد.

2205