محققان دانشگاه ام آی تی، به دستاوردی مهم در زمینه نانولیتوگرافی رسیده‌اند که به کمک آن می‌توان الگوهایی ریزتر(خطوطی به اندازه ۲۵ نانومتر که به فاصله ۲۵ نانومتر از هم قرار گرفته‌اند) را در سطحی وسیع ایجاد کرد. این روش در نسل آینده حافظه‌های رایانه‌ای و تراشه‌های مدارهای مجتمع و پیل‌های خورشیدی پیشرفته و سایر دستگاه‌ها کاربرد خواهد داشت.
دستاوردی جدید در زمینه نانولیتوگرافی
|
محققان دانشگاه ام آی تی، به دستاوردی مهم در زمینه نانولیتوگرافی رسیده‌اند که به کمک آن می‌توان الگوهایی ریزتر(خطوطی به اندازه ۲۵ نانومتر که به فاصله ۲۵ نانومتر از هم قرار گرفته‌اند) را در سطحی وسیع ایجاد کرد. این روش در نسل آینده حافظه‌های رایانه‌ای و تراشه‌های مدارهای مجتمع و پیل‌های خورشیدی پیشرفته و سایر دستگاه‌ها کاربرد خواهد داشت. محققان در این روش ـ که لیتوگرافی تداخلی(IL) نام دارد و در واقع شکل دیگری از این نخستین بار است که ازSBIL به این منظور استفاده می‌شود و به این ترتیب امکان |
