با استفاده از مولیبدنیت می‌توان تراشه‌های الکترونیکی کوچک‌تر و از لحاظ انرژی کارآمدتر ساخت. پژوهشگرانی از آزمایشگاه ساختارها و الکترونیک نانومقیاس EPFL نشان داده‌اند که این ماده دارای امتیازات بارزی نسبت به سیلیکون سنتی یا گرافن در کاربردهای الکترونیکی است. این پژوهشگران کشف کرده‌اند که مولیبدنیت، یا MoS2، یک نیمه‌رسانای بسیار موثر است.
ترانزیستورهای جدید: جایگزین دیگری برای سیلیکون
| با استفاده از مولیبدنیت می‌توان تراشه‌های الکترونیکی کوچک‌تر و از لحاظ انرژی کارآمدتر ساخت. پژوهشگرانی از آزمایشگاه ساختارها و الکترونیک نانومقیاس EPFL نشان داده‌اند که این ماده دارای امتیازات بارزی نسبت به سیلیکون سنتی یا گرافن در کاربردهای الکترونیکی است. این پژوهشگران کشف کرده‌اند که مولیبدنیت، یا MoS2، یک نیمه‌رسانای بسیار موثر است. آندراس کیس، استاد تمام EPFL، می‌گوید: “مولیبدنیت دارای یک پتانسیل واقعی |
|
|
یک مدل دیجیتالی که نشان می‌دهد که چگونه می‌توان مولیبدنیت را به شکل یک ترانزیستور مجتمع کرد. |
| یکی از مزایای مولیبدنیت این است که کم‌حجم‌تر از سیلکون، که یک ماده سه بعدی است، می‌باشد. کیس توضیح می‌دهد: “سهولت حرکت الکترون‌ها در یک صفحه MoS2 با ضخامت ۶۵/۰ نانومتر، مانند سهولت حرکت الکترون‌ها در یک صفحه سیلیکون به ضخامت ۲ نانومتر است. ولی در حال حاضر امکان ساخت صفحه سیلیکونی به نازکی یک صفحه تک‌لایه MoS2 وجود ندارد”. یکی دیگر از مزایای مولیبدنیت این است که می‌تواند در ساخت ترانزیستورهایی استفاده شود که مصرف انرژی آنها حدود ۱۰۰۰۰۰ برابر کمتر از ترانزیستورهای متداول سیلیکونی است. یک نیمه‌رسانا دارای “گپ” باید برای روشن/خاموش کردن ترانزیستور استفاده شود و گپ ۸/۱ الکترون ولتی مولیبدنیت برای این کار ایده‌آل است. در فیزیک حالت جامد، از نظریه باند برای نشان دادن انرژی الکترون‌ها در یک همچنین وجود چنین گپ در مولیبدنیت باعث می‌شود که نسبت به گرافن ارجحیت این پژوهشگران جزئیات نتایج کار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی Nature |
