تولید انبوه ترانزیستور گرافنی، شرکت پاراگراف رکورد زد

تولید انبوه ترانزیستور گرافنی، شرکت پاراگراف رکورد زد

شرکت پاراگراف با معرفی ترانزیستور گرافنی جدید خود، PMF2000، و افتتاح اولین “ریخته‌گری گرافن” جهان، گامی بزرگ در تولید انبوه دستگاه‌های گرافنی برداشته است. این فناوری جدید با قابلیت تولید روی ویفرهای سیلیکونی شش اینچی، کیفیت، سازگاری و عملکرد تکرارپذیر را برای کاربردهایی چون حسگرهای مولکولی در حوزه سلامت، کشاورزی و صنعت تضمین می‌کند

66
نانو، ناجی هوش‌ مصنوعی از بحران انرژی

نانو، ناجی هوش‌ مصنوعی از بحران انرژی

با افزایش روزافزون نیازهای محاسباتی هوش‌ مصنوعی و رسیدن فناوری‌های سنتی به مرزهای فیزیکی، پژوهشگران به سراغ نانوفناوری رفته‌اند؛ راهکاری که در ابعاد اتمی می‌تواند توان پردازشی را بالا برده، مصرف انرژی را کاهش دهد و آینده‌ سخت‌افزارهای هوشمند را متحول سازد.

524
محصولات الکترونیکی ارزان‌تر با ترانزیستورهای نانولوله‌ای کربنی

محصولات الکترونیکی ارزان‌تر با ترانزیستورهای نانولوله‌ای کربنی

در سال‌های اخیر، استفاده از نانولوله‌های کربنی به‌عنوان ماده‌ای برای ترانزیستورها افزایش یافته است. دلیل این موضوع، رسانایی عالی و پایداری شیمیایی بالای این مواد است. اکنون، تیمی از پژوهشگران موفق به توسعه‌ی روشی ساده و سریع برای ساخت ترانزیستورهای فیلم نازک (TFT) با عملکرد بالا روی زیرلایه‌های پلاستیکی شده‌اند.

471
هوش مصنوعی و فناوری‌نانو دقت آزمایش‌های طبی را افزایش می‌دهند

هوش مصنوعی و فناوری‌نانو دقت آزمایش‌های طبی را افزایش می‌دهند

سامانه آزمایشی تشخیصی جدیدی به طور مشترک در دانشکده مهندسی مولکولی دانشگاه شیکاگو و دانشگاه کالیفرنیا ایجاد شده، که در آن از هوش مصنوعی برای بهبود عملکرد استفاده شده است. این سیستم تشخیص طبی، یک ترانزیستور قدرتمند و حساس را با یک سیستم آزمایش تشخیصی ارزان و مبتنی بر کاغذ ترکیب می‌کند. هنگامی که این ابزار با یادگیری ماشین ترکیب می‌شود، این سیستم به نوع جدیدی از زیست‌حسگر تبدیل می‌شود که در نهایت می‌تواند آزمایش و تشخیص در خانه را انجام دهد.

677
امکان ساخت ترانزیستورهای زیر یک نانومتر فراهم می‌شود

امکان ساخت ترانزیستورهای زیر یک نانومتر فراهم می‌شود

با ارائه یک روش ساخت جدید، مسیر تولید ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از یک نانومتر امکان‌پذیر می‌شود. یک تیم تحقیقاتی به سرپرستی جو مون هو از مرکز مواد جامد کوانتومی ون در والس در انستیتوی علوم پایه (IBS)، روش جدید برای دستیابی به رشد اپیتاکسیال مواد فلزی ۱D با عرض کمتر از ۱ نانومتر ارائه کرده است.

674