بهبود بازده سلول‌های خورشیدی با استفاده از نانوسیم بلال مانند

پژوهشگران دانشگاه صنعتی شریف با همکاری دانشگاه کمبریج با سنتز نانوسیم‌های بلال مانند دی اکسید تیتانیم، موفق به ‏بهبود بازدهی سلول خورشیدی رنگدانه‌ای از طریق مدیریت پراکندگی نور شدند. ‏

پژوهشگران دانشگاه صنعتی شریف با همکاری دانشگاه کمبریج با سنتز نانوسیم‌های بلال مانند دی اکسید تیتانیم، موفق به ‏بهبود بازدهی سلول خورشیدی رنگدانه‌ای از طریق مدیریت پراکندگی نور شدند. این ساختار به‌خاطر خواص مناسب در پراکندگی ‏نور و همچنین سرعت بالای انتقال الکترون باعث بهبود بازده سلول خورشیدی شده است.‏

امیرمحمود بخشایش، فارغ التحصیل کارشناسی ارشد مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف، در رابطه با این تحقیقات ‏گفت: «این کار تحقیقاتی به منظور بهبود بازدهی سلول خورشیدی رنگدانه‌ای از طریق مدیریت پراکندگی نور، انتقالات ‏الکترونی و کاهش بازترکیب انجام گرفت که برای رسیدن به این هدف نانوسیم بلال مانند دی‌اکسید تیتانیم (‏Corn-like ‎TiO2 nanowires‏) با روش هیدروترمال/سولوترمال سنتز و بعنوان لایه پراکنده‌کننده نور در سلول خورشیدی رنگدانه به‌کار ‏گرفته شد.»‏

بخشایش سنتز مورفولوژی نانوسیم بلال مانند دی اکسید تیتانیم با استفاده از روش‎ ‎هیدروترمال/سولوترمال را به عنوان ‏اولین مرحله این تحقیقات یاد کرده و افزود: «بعد از این مرحله، لایه نشانی نانوسیم بعنوان لایه پراکنده‌کننده نور برروی لایه‌ای ‏از نانوذرات برروی شیشه هادی اکسیدی (‏FTO‏) انجام گرفت و مونتاژ سلول خورشیدی سلول رنگدانه‌ای انجام پذیرفت.»‏

مورفولوژی نانوسیم سنتز شده از قابلیت خوب در پراکندگی نور و انتقال الکترون برخوردار است. بخشایش در این باره افزود: ‏‏«نانوسیم سنتز شده متشکل از یک نانوسیم مرکزی است که بر روی سطح آن نانوذرات دی‌اکسید‌تیتانیوم رشد نموده‌اند. قطر این ‏ساختار بین ۴۰ تا ۱۵۰ نانومتر و طول آن در محدوده ۵ تا ۲۰ میکرون است. ذرات سطحی دارای قطری در حدود ۶۰ نانومتر ‏هستند. نقش ذرات سطحی تأمین سطح ویژه کافی برای جذب رنگدانه و نقش نانوسیم مرکزی ایجاد مسیرهای مستقیم برای ‏تزریق الکترون است.»‏

 

filereader.php?p1=main_3da2f3a01f7954836

شکل ۱- مکانیزم تشکیل نانوسیم بلال‌مانند دی‌اکسید‌تیتانیم: (الف) نانوسیم‌های معمولی حاصل از عملیات هیدروترمال اولیه، (ب) ‏جوانه‌زنی ترک‌های اولیه در اثر تنش‌های هیدرواستاتیک، (ج) رشد ترک‌های اولیه به‌وسیله‌ی تنش‌های کششی سطحی و (د) نانوسیم ‏بلال‌مانند.‏

یکی از ایده‌های این طرح قبلاً با شماره ثبت ۷۶۸۵۴ به ثبت اختراعات رسیده است. نتایج این کار تحقیقاتی که به دست ‏امیرمحمود بخشایش، دکتر محمد رضا محمدی دانشیار دانشکده مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف، هدا دادار فارغ ‏التحصیل مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شریف و دکتر دی.جی. فری (‏D.J. Fray‏) استاد دانشگاه کمبریج صورت گرفته ‏است، در مجله ‏Electrochimica Acta‏ (جلد ۹۰، ۱۵ فوریه سال ۲۰۱۳) منتشر شده است. علاقمندان می‌توانند متن کامل ‏مقاله را در صفحات ۳۰۲ الی ۳۰۸ همین شماره مشاهده نمایند.‏