مشکل ناشی از کوچک‌شدن نانوتراشه‌های الکترونیکی حل می‌شود

محققان ایرانی با همکاری پژوهشگران دانمارکی، طی پژوهشی توانستند با
استفاده از تجزیه مولکول‌های بی‌اثر در رشد زیر لایه سیلیسیومی در
نانوترانزیستورهای آتی، مشکل بزرگ ناشی از کوچک‌شدن این ترانزیستورها را حل نمایند.

علی بهاری پنبه چوله در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه توسعه فناوری نانو گفت:
«برخلاف روش‌هایی که تا به حال برای رشد نیترید سیلیسیوم با استفاده از گازهای NH3
وN2O  و NO وجود داشت، در پژوهش حاضر فیلم نیترید سیلیسیوم فرا نازک کمتر از ۱
نانومتر، بر زیر لایه سیلیسیومی با تجزیه مولکول‌های بی‌اثر N2 به اتم‌های N رشد
داده شده‌است. گفتنی‌است که این فرایند مشکلات ناشی از مصرف گازهای قبلی را ندارد».

عضو هیئت علمی دانشگاه مازندران، هدف از انجام این پژوهش را «یافتن یک گیت
دی‌الکتریک به همراه زیرلایه و الکترودهای مناسب در نانوترانزیستورهای آتی» بیان
کرد و افزود: «این نوآوری می‌تواند مشکل بزرگ ناشی از کوچک‌شدگی تراشه‌های
الکترونیکی، اپتوالکترونیکی، ذخیره‌سازهای اطلاعات در قطعات نانومقیاسی حافظه‌ها و
به‌طور کلی نانوالکترونیک را حل نماید».

شایان ذکر است که امکان استفاده از گیت
دی‌الکتریک اکسید سیلیسیوم فرانازک در تولیدات آتی نانوترانزیستورها وجود ندارد.
لذا در پژوهش حاضر، نیترید سیلیسیوم به‌عنوان یک گیت دی‌الکتریک برای
نانوترانزیستورهای آتی پیشنهاد شده که نتایج استفاده از این گیت، حاکی از ویژگی‌های
منحصر به فرد این ماده نسبت به گیت دی‌الکتریک اکسید سیلیسیوم است. جزئیات این
تحقیق که با همکاری علی بهاری پنبه چوله و پروفسور غوبان، پروفسور الشهمیری،
پروفسور رائو، پروفسور مورگن ولی انجام شده، در مجله  Surface Science
(جلد۶۰۲، صفحات۲۳۲۴–۲۳۱۵، سال۲۰۰۸) منتشر شده است.