پژوهشگران دانشگاه تربیت مدرس، با دستیابی به فناوری اتصال نانوذرات مغناطیسی به سطح سلول موفق به اصلاح مغناطیسی سطح سلول‌ها و بیومولکول‌ها شدند.
اصلاح مغناطیسی سطح سلول‌ها با نانوذرات مغناطیسی
پژوهشگران دانشگاه تربیت مدرس، با دستیابی به فناوری اتصال نانوذرات مغناطیسی به سطح سلول موفق به اصلاح مغناطیسی سطح سلول‌ها و بیومولکول‌ها شدند.
مهندس سید مرتضی رباط جزی، دانشجوی دکتری مهندسی شیمی- بیوتکنولوژی، در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه‌ی توسعه‌ی فناوری نانو گفت: «در پژوهشی با هدف اصلاح مغناطیسی سلول‌ها و بیومولکول‌ها، از باکتری فلاوباکتریوم که تولیدکننده‌ی آنزیم ارگانوفسفرز هیدرولاز(OPH) است، به‌عنوان مدل استفاده نمودیم».
مهندس رباط جزی در ادامه گفت: «موفق شدیم باکتری مغناطیسی شده‌ی فلاوباکتریوم را با حفظ بیش از ۹۰ درصد فعالیت آنزیمی بسازیم».
پژوهشگران در این تحقیق، واکنش کووالانسی و جذبی بین نانوذرات سوپر پارامغناطیسی و سطح باکتری را به‌طور کامل بررسی و پارامترهای مهم در این واکنش را بهینه کرده‌اند.
بنابر اظهار پژوهشگر این تحقیق، آنها موفق به افزایش پایداری فعالیت آنزیمی باکتری با استفاده از فرایند تثبیت باکتری اصلاح شده‌ی مغناطیسی به وسیله‌ی میدان مغناطیسی شده‌اند. همچنین سلول را به روش مغناطیسی تثبیت نموده و از آن برای حذف ترکیبات ارگانوفسفات استفاده کرده‌اند.
گفتنی است که تثبیت سلول هم به شکل زنده و هم مرده، باعث افزایش فعالیت آنزیمی و زمان پایداری آن می‌شود. با تثبیت سلول‌های زنده، سرعت رشد، پایداری و بهره‌وری آنها افزایش می‌یابد. یک روش جدید و بسیار سودمند برای تثبیت سلول‌ها، استفاده از میدان مغناطیسی است. اما اکثر سلول‌ها دیامغناطیس هستند و واکنش خاصی به میدان مغناطیسی نشان نمی‌دهند. برای استفاده از این روش، باید سطح سلول را اصلاح مغناطیسی نمود.
شایان ذکر است در این تحقیق از نانوذرات مغناطیسی تجاری شرکت micromod استفاده شده‌است.
در سال‌های اخیر، استفاده از میدان مغناطیسی به دلیل کاربرد در جداسازی و تغلیظ، تثبیت سلول‌ها و بیوملکول‌ها و ساخت بیوحسگرها بسیار مورد توجه قرار گرفته است.
این تحقیق در قالب رساله‌ی دکتری مهندس رباط جزی با راهنمایی دکتر سید عباس شجاع‌الساداتی و دکتر رسول خلیل‌زاده و مشاوره‌ی دکتر ابراهیم واشقانی فرهانی در دانشگاه تربیت مدرس انجام شده‌است و جزئیات آن در مجله‌ی Biocatalysis and Biotransformation (جلد ۲۸، صفحات ۳۱۲-۳۰۴، سال ۲۰۱۰) منتشر شده‌است.
