شرکت سامسونگ الکترونیکز (Samsung Electronics Co) پیشگام در تولید حافظههای پیشرفته است. این شرکت اخیرا اعلام کرده که موفق به تولید انبوه حافظه پیشرفته DDR4 شدهاست این شرکت قصد دارد تا از این فناوری در نسل جدید دیتاسنترهای خود استفاده کند.
تولید انبوه حافظههای DDR4 بیست نانومتری توسط سامسونگ
با معرفی ماژولهای DDR4 عملکرد بالا با دانسیته بالا، سامسونگ میتواند نیاز بازار را در بخش حافظههای DDR4 به خوبی تامین کند. دیتاسنترها و سرورهای شرکت از اصلیترین مشتریان این حافظهها هستند.
در حال حاضر ادوات DDR4 چهار گیگابایتی با فناوری پردازش ۲۰ نانومتری در بازار وجود دارند، این دستاورد شرکت سامسونگ افزایش تقاضا را برای حافظههای ۱۶ و ۳۲ گیگابایتی تسهیل میکند. حافظههای ۸ گیگابایتی DRAM که با استفاده از فناوری ۳۰ نانومتری ساخته میشود در مقایسه با فناوری به کار رفته در این حافظههای جدید بسیار پیش پا افتاده به نظر میرسند.
یونگ هیون جون مدیر اجرایی این پروژه میگوید: «با تولید این حافظههای DDR4 جدید، نسل جدید سرورها امسال به بازار خواهند آمد. اوایل امسال ما حافظههای DDR3 16 گیگا بایتی با عملکرد بالا را به بازار عرضه کردیم، در همین راستا ما به تحقیقات خود ادامه دادیم تا این که توانستیم این فناوری جدید را به تولید انبوه برسانیم. ما قصد داریم روی افزایش دانسیته و عملکرد این حافظههای DDR4 متمرکز شویم تا بتوانیم در سال ۲۰۱۴ سهم بیشتری از بازار را بهدست آوریم.»
در نسل جدید سرورها، استفاده از این حافظههای پرسرعت موجب بهبود عملکرد سیستمها و کاهش قابل توجه در مصرف انرژی خواهد شد. این فناوری میتواند هزینه سرورها را کاهش داده و عملکرد آنها را بهبود دهد.
شرکت سامسونگ در سال ۲۰۰۸ حافظههای DDR3 دوگیگابایتی با فناوری ۵۰ نانومتری را به بازار عرضه کرد و در ادامه تحقیقات دراین مسیر موفق به دستیابی به حافظه DDR4 چهارگیگابایتی با فناوری ۲۰ نانومتری شد. این شرکت با هدف تامین نیاز سرورها و دیتاسنترها به سوی سرمایهگذاری در این حوزه رفت و در طول ۵ سال تحقیقات موفق شد به جایگاه فعلی برسد. حافظه DDR4 چهارگیگابایتی با فناوری ۲۰ نانومتری سریعترین حافظه در این کلاس بوده به طوری که قادر به انتقال ۲۶۶۷ مگابایت در ثانیه – ۱٫۲۵ برابر بیشتر از DDR3 بیست نانومتری- است. این درحالی است که مصرف انرژی این حافظههای DDR4 30 درصد کمتر از حافظه DDR3 بیست نانومتری است.